[发明专利]一种分立式半导体封装支架制备方法

权利要求书

1.一种分立式半导体封装支架制备方法，其特征在于，所述封装支架包括承载板和多个独立设置的封装支架单元；所述封装支架制备方法包括以下步骤：

第一步，第一表面保护，片状金属基材的一表面为第一表面，另一表面则为第二表面，第一表面贴上感光干膜或保护胶纸，在感光干膜或保护胶纸上贴一张补强板，补强板用于对金属基材起到补强支撑作用；

第二步，第二表面线路图形转移，将第二表面贴上第二干膜，通过曝光显影做出第二表面线路图形，第二表面线路图形中选择性露出金属基材的局部区域为电镀区域；

第三步，第二表面电镀，对第二表面露出金属基材的区域电镀焊接金属层，焊接金属层为抗蚀刻且可焊锡的金属镀层；

第四步，第一次退膜蚀刻，将第二表面的第二干膜用碱性退膜液退除掉，再通过蚀刻溶液蚀刻第二表面基材上无电镀区域形成第一蚀刻层，蚀刻深度为金属基材厚度的40％到80％之间；

第五步，焊接承载板，利用无铅锡膏将第二表面焊接于承载板上，承载板可剥离设置于第二表面；

第六步，去除补强板，利用碱性退膜液退除第一表面的保护干膜或保护胶纸，去掉补强板，使得第一表面显露；

第七步，将第一表面贴上第一干膜，并曝光显影形成第一表面线路图形，第一表面线路图形中选择性露出金属基材的局部区域为电镀区域；

第八步，对第一表面露出金属基材的区域电镀封装可邦定的金属层；

第九步，第二次退膜蚀刻，第一表面的第一干膜用碱性退膜液退除掉，再通过蚀刻溶液蚀刻第一表面基材上无电镀区域金属基材，并完全蚀刻贯穿，相邻的两个封装支架单元区域经过二次蚀刻形成凹槽，凹槽的口径小于其内径，第一次蚀刻的内径大于第二次蚀刻的内径，凹槽呈倒“凸”字形，使半导体封装压注胶将封装支架单元紧密包裹并扣住。

2.根据权利要求1所述的一种分立式半导体封装支架制备方法，其特征在于：在所述第一步中，提供感光干膜压膜机，感光干膜压膜机将干膜辊压贴设于第一表面，干膜的厚度为40微米，辊压温度为100-120℃，辊压速度为2-2.5m/min，空气辅助压力为35-50psi；

撕掉感光干膜表面的PET保护膜，再将补强板辊压贴设于感光干膜上，辊压温度为105-125℃，辊压速度为1.8-2.2m/min，空气辅助压力为35-50psi；

在所述第一步中还包括钻孔，完成贴设补强板后，从补强板面钻出定位孔及工具孔。

3.根据权利要求1所述的一种分立式半导体封装支架制备方法，其特征在于：在所述第二步中，第二干膜选用感光干膜，利用感光干膜通过曝光和显影方式做出第二表面线路，曝光能量为30-50mj/cm²，显影液Na2Co3/H2O浓度为0.8-1.2wt％，温度为28-34度，压力为1.5-2.0kg/cm²，显影时间为40-48秒。

4.根据权利要求1所述的一种分立式半导体封装支架制备方法，其特征在于：在所述第三步中，第二焊接金属层为图形电镀，对第二表面封装支架单元图形的金属面上电镀镍金，镍厚为2μm，金厚为0.025μm，镍缸镀液的pH值为3.8～4.5，Ni浓度为65-85g/L，NiCl2浓度为15-25g/L，H3Bo3浓度为35～45g/L，温度为45-55度，金缸含量为0.3-0.6g/L，比重为12-16Be，pH值为3.7-4.2。

5.根据权利要求4所述的一种分立式半导体封装支架制备方法，其特征在于：在所述第四步中，通过酸性蚀刻溶液蚀刻第二表面金属基材上未镀镍金的区域，蚀刻深度控制在金属基材厚度的40％-80％，退膜液NaOH浓度为2-4wt％，时间为40-70秒，温度为40-60度，压力为1.5-3.0kg/cm²；蚀刻液比重为22-25Be，喷压为2-2.5kg/cm²，温度为45-55度。