[发明专利]一种分立式半导体封装支架制备方法

说明书

本发明属于半导体封装器件技术领域，具体涉及一种分立式半导体封装支架及其制备方法，其包括封装支架单元和承载板，封装支架单元上表面的区域电镀镍银金层，下表面区域电镀镍金层，封装支架单元通过锡膏与下表面的电镀镍金层紧密焊接对封装支架做承载支撑；封装支架依次通过上表面贴保护、下表面线路、镀镍金、退膜蚀刻、下表面焊接承载板、去上表面保护、上表面线路、镀镍银金、退膜蚀刻制得带承载板的分立式封装支架；本发明在制备工艺中由于分别两次作电镀蚀刻，配有补强板和可剥离式承载板做承载支撑，无需连接引线作为支撑，不受金属基材厚度的限制，能够生产无连接引线结构复杂、极小间距、高气密性、高可靠性的封装支架。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其是指一种分立式半导体封装支架制备方法。

背景技术

封装支架是制造集成电路半导体元件的基本部件，为集成电路的芯片提供载体，借助于键合材料实现芯片与外部线路板电信号的连接，同时为芯片提供热量传导通道释放热量。方形扁平无引脚封装(QFN)是最为常见的一种封装结构。传统的QFN封装通常使用：有引线框架结构的封装支架和国外进口的剥离式无引线框架结构的分立式封装支架。

对于有引线框架结构的封装支架，由于支架内的每一个独立封装支架单元点都需要有连接引线支撑，并且需要封装支架基材达到一定的厚度才能便于生产加工，导致此种工艺无法生产结构复杂的、高精密度、极小间距高集成的封装支架。其中有引线框架结构设计在封装分切后，所有有引线的位置都会露出金属基材，品质不稳定，密封性差；另一方面此种工艺需要封装支架基材达到一定的厚度以上才能生产加工，严重制约了半导体封装器件的高精尖和轻薄化发展；国外进口的剥离式无引线框架结构的分立式封装支架，不仅成本高昂，且交易周期长，此种可剥离的基材国内暂无生产；特别是受到国际上多重因素影响，导致半导体封装支架缺货严重，甚至对高端产品直接断供，对半导体封装企业造成严重制约现象。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种分立式半导体封装支架制备方法，封装支架单元区域为独立设计，无需连接引线，能够生产结构复杂、高精密度、间距极小、高集成的封装支架。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种分立式半导体封装支架制备方法，所述封装支架包括承载板和多个独立设置的封装支架单元；所述封装支架制备方法包括以下步骤：

第一步，第一表面保护，片状金属基材的一表面为第一表面，另一表面则为第二表面，第一表面贴上感光干膜，撕掉感光干膜表面的PET保护膜，在感光干膜上贴一张同等尺寸的补强板，补强板用于对金属基材起到补强支撑作用，补强板的材料需要耐酸碱，抗蚀刻，能起到支撑保护作用的任意材料均可，片状金属基材的厚度达到一定厚度时，不需贴补强板；感光干膜或保护胶纸主要目的是保护片状金属基材，当片状金属基材为小于50微米时选用感光干膜，当片状金属基材为大于等于50微米时选用感光干膜或保护胶纸均可。

第二步，第二表面线路图形转移，将第二表面贴上第二干膜，通过曝光显影做出第二表面线路图形，第二表面线路图形中选择性露出金属基材的局部区域为电镀区域；图形转移是专用术语，是将电脑的图形资料显影到第二干膜上；

第三步，第二表面电镀，对第二表面露出金属基材的区域电镀焊接金属层，焊接金属层为抗蚀刻且可焊锡的金属镀层；

第四步，第一次退膜蚀刻，将第二表面的第二干膜用碱性退膜液退除掉，再通过蚀刻溶液蚀刻第二表面基材上无电镀区域形成第一蚀刻层，蚀刻深度为金属基材厚度的40％到80％之间；

第五步，焊接承载板，利用无铅锡膏将第二表面焊接于承载板上，承载板可剥离设置于第二表面；

第六步，去除补强板，利用碱性退膜液退除第一表面的保护干膜或保护胶纸，去掉补强板，使得第一表面显露；

第七步，将第一表面贴上第一干膜，并曝光显影形成第一表面线路图形，第一表面线路图形中选择性露出金属基材的局部区域为电镀区域；