[发明专利]光刻设备和操作光刻设备的方法在审
申请号: | 202110161152.X | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN112965341A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 金原淳一;H·巴特勒;P·C·H·德威特;E·A·F·范德帕斯奇 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 操作 方法 | ||
1.一种操作光刻设备的方法,所述光刻设备包括:
投影系统,配置成提供曝光辐射,用以使在所述投影系统下方的衬底形成图案;
第一平台,配置成支撑第一衬底;
第二平台,配置成支撑第二衬底;和
第三平台,容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件;
其中,所述方法包括:在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作;
其中,在所述曝光前争夺扫掠操作期间,所述第三平台移动远离所述投影系统的下方的同时,所述第二平台移动到所述投影系统的下方;
其中,在所述衬底交换操作期间,从所述第一平台卸载所述第一衬底。
2.一种光刻设备,包括:
投影系统,配置成提供曝光辐射,用以使衬底形成图案;
第一平台,配置成支撑第一衬底;
第二平台,配置成支撑第二衬底;
第三平台,容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件;
衬底卸载器,配置成在衬底交换操作期间从所述第一平台卸载所述第一衬底;和
控制系统,配置成控制所述第一平台、所述第二平台、所述第三平台和所述衬底卸载器的定位,
其中,所述控制系统布置成在开始所述衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作,
其中,在所述曝光前争夺扫掠操作期间,所述第三平台移动远离所述投影系统的下方的同时所述第二平台移动到所述投影系统的下方。
3.如权利要求2所述的光刻设备,其中,在所述曝光前争夺扫掠操作期间,由所述第二平台和所述第三平台执行图案形成装置对准。
4.如权利要求2至3中任一项所述的光刻设备,其中,所述部件包括所述传感器,其中,所述传感器布置成测量所述曝光辐射的至少一个属性。
5.如权利要求4所述的光刻设备,其中,所述至少一个属性包括所述曝光辐射的剂量和/或均匀性。
6.如权利要求2至4中任一项所述的光刻设备,其中,所述部件包括所述传感器,其中,所述传感器布置成测量所述投影系统的像差、所述投影系统的光瞳和/或所述光刻设备的照射系统的偏振。
7.如权利要求6所述的光刻设备,其中,所述控制系统配置成预测所述图案形成的失真或所述投影系统的像差的改变。
8.如权利要求2至7中任一项所述的光刻设备,其中,所述控制系统配置成控制所述第一平台、所述第二平台和所述衬底卸载器以便在开始所述衬底交换操作之前调换所述第一平台与所述第二平台的位置。
9.如权利要求2至8中任一项所述的光刻设备,其中,所述控制系统配置成控制所述第三平台以便在开始所述衬底交换操作时使所述第三平台位于所述投影系统的下方或附近。
10.如权利要求2至9中任一项所述的光刻设备,其中,所述光刻设备包括:
液体处理系统,配置成将浸没液体供应并限制在被限定在所述投影系统与所述第一衬底、所述第二衬底、所述第一平台、所述第二平台和所述第三平台中的至少一个之间的空间。
11.如权利要求10所述的光刻设备,其中,所述清洁装置配置成清洁所述液体处理系统。
12.如权利要求10或11所述的光刻设备,其中,所述部件包括所述传感器,其中,所述传感器包括配置成监测所述液体处理系统的污染水平的监测装置。
13.如权利要求10所述的光刻设备,其中,所述第一平台和所述第二平台中的一个配置成支撑伪衬底,所述伪衬底配置成与所述液体处理系统对置,以便能够使用清洁液体来执行清洁。
14.如权利要求10至13中任一项所述的光刻设备,其中,所述清洁装置包括振动发生器,所述振动发生器配置成将振动或超声波施加到所述浸没液体。
15.如权利要求10至14中任一项所述的光刻设备,其中,所述液体处理系统包括可致动流量板,所述可致动流量板配置成相对于所述投影系统并且相对于所述第一平台、所述第二平台和所述第三平台是位置受独立控制的;
其中,所述控制系统配置成依据所述第一平台、所述第二平台和所述第三平台中的一个相对于所述投影系统的相对位置、速度和/或加速度控制所述可致动流量板的位置。
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