[发明专利]光刻设备和操作光刻设备的方法

说明书

一种操作光刻设备的方法，该光刻设备包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在投影系统下方的衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第―衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；和第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；其中，该方法包括：在开始衬底交换操作之后开始曝光前争夺扫掠操作；其中，在曝光前争夺扫掠操作期间，第三平台移动远离投影系统的下方，而第二平台移动到投影系统的下方；其中，在衬底交换操作期间，从第一平台卸载第一衬底。

本申请是申请日为2016年09月30日、发明名称为“光刻设备和操作光刻设备的方法”、申请号为201680079692.0的专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年11月20日递交的欧洲申请15195532.5和2016年2月24日递交的欧洲申请16157155.9的优先权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备和一种操作光刻设备的方法。

背景技术

光刻设备为将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器；在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每一个目标部分；在扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。另外，能够通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

已经提出在光刻投影设备中将衬底浸入具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在实施例中，所述液体是蒸馏水，尽管可以使用其它液体。将参考液体来描述本发明的实施例。然而，其它流体可能是合适的，特别是湿润流体、不可压缩流体和/或折射率高于空气的折射率(期望地高于水的折射率)的流体。除了气体以外的流体是尤其期望的。其的关键点是实现使更小特征成像，这是因为曝光辐射在液体中将具有较短的波长。(液体的作用也可以被认为是增加了系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。)已经提出了其它浸没液体，包括悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮液(例如最大尺寸高达10纳米的颗粒)的液体。悬浮颗粒可以具有或者可以不具有与悬浮有该颗粒的液体的折射率相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃，诸如芳香族、氟代烃和/或水溶液。

将衬底或衬底和支撑台浸入液体浴中(参见例如美国专利No.4,509,852)的意思是存在在扫描曝光期间必须被加速的大量的液体。这需要额外的或更强大的马达，并且液体中的湍流可能导致不期望的和不可预测的效果。

在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、装置结构或设备处理。在实施例中，流体处理系统可以供应浸没流体，并且因此该流体处理系统可以是流体供应系统。在实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且因此该流体处理系统可以是流体限制系统。在实施例中，流体处理系统可以提供对浸没流体的阻挡，并且因此该流体处理系统可以是阻挡构件，诸如流体限制结构。在实施例中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成用于限制浸没流体的密封，因此，流体处理结构可以被称作密封构件；该密封构件可以是流体限制结构。在实施例中，将浸没液体用作浸没流体。在这种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。在参考前述描述的情况下，在本段中对相对于流体所限定的特征的参考可以被理解为包括相对于液体所限定的特征。