[发明专利]半导体器件以及集成电路布局

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一导电类型的第一阱；

第一晶体管，包括：

第一鳍，从所述第一阱延伸并具有第一宽度，其中，所述第一鳍为所述第一导电类型；和

两个第一源极/漏极部件，位于所述第一鳍上，其中，所述两个第一源极/漏极部件为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；以及

存储器拾取单元，包括：

第二鳍，从所述第一阱延伸并具有第二宽度，所述第二宽度是所述第一宽度的至少三倍；

两个第二源极/漏极部件，位于所述第二鳍上，其中，所述第二鳍和所述两个第二源极/漏极部件为所述第一导电类型；和

半导体层堆叠，位于所述第二鳍上方并连接所述两个第二源极/漏极部件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二宽度不大于所述第一宽度的10倍。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管还包括：第一栅极堆叠，设置在所述两个第一源极/漏极部件之间；以及栅极接触件，电连接至所述第一栅极堆叠，并且，所述存储器拾取单元还包括第二栅极堆叠，设置在所述两个第二源极/漏极部件之间并且没有电连接到所述第二栅极堆叠的任何栅极接触件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型是n型，并且所述第二导电类型是p型。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型是p型，并且所述第二导电类型是n型。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述存储器拾取单元在所述半导体器件的相同存储器宏中。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二宽度在10nm至100nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二晶体管，包括从所述第一阱延伸并具有所述第一导电类型的第三鳍，所述第三鳍具有第三宽度，

其中，所述第一鳍和所述第三鳍在长度方向上彼此平行，并且沿着宽度方向以第一间隔隔开，其中，所述第二宽度至少等于所述第一宽度、所述第三宽度和所述第一间隔之和。

9.一种半导体器件，包括：

衬底，具有n型阱，所述n型阱邻接p型阱，所述n型阱和所述p型阱在用于存储器位的第一区域和用于拾取单元的第二区域上延伸；

多个第一鳍结构，从所述第一区域中的所述p型阱突出的，每个所述第一鳍结构具有第一宽度；

多个第二鳍结构，在所述第一区域中从所述n型阱突出，每个所述第二鳍结构具有第二宽度；

一个或多个第三鳍结构，从所述第二区域中的所述p型阱突出，一个或多个第三鳍结构中的每个具有第三宽度；以及

一个或多个第四鳍结构，从所述第二区域中的所述n型阱突出，所述一个或多个第四鳍结构中的每个具有第四宽度，其中，所述第四宽度是所述第二宽度的至少三倍。

10.一种集成电路(IC)布局，包括：

用于存储器位的第一区域和用于拾取单元的第二区域；

n型阱，在所述第一区域和所述第二区域中延伸；

p型阱，在所述第一区域和所述第二区域中延伸；

第一有源区域，在所述第一区域中的所述p型阱上方，每个所述第一有源区域具有第一宽度；

第二有源区域，在所述第一区域中的所述n型阱上方，每个所述第二有源区域具有第二宽度；

第三有源区域，在所述第二区域中的所述p型阱上，每个所述第三有源区域具有第三宽度；以及

第四有源区域，在所述第二区域中的所述n型阱上方，每个所述第四有源区域具有第四宽度，其中，所述第四宽度至少是所述第二宽度的三倍，并且所述第三宽度至少等于所述第一宽度。