[发明专利]薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备有效
申请号: | 202110162038.9 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112833801B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 邓鹏飞;陆朋朋 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 厚度 测试 方法 系统 存储 介质 电子设备 | ||
本公开提供一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备,涉及半导体技术领域。所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,所述测试方法包括:收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜;检测所述目标薄膜的光谱,得到第二光谱;根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。本公开的测试方法可提高薄膜厚度的测试精度。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备。
背景技术
动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点,被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。
动态随机存储器主要包括器件阵列以及覆盖于器件阵列表面的导电薄膜,在制程过程中,通常需要对导电薄膜的厚度进行检测分析,然而,在检测过程中受其底部器件阵列的影响,检测分析难度较大,且分析得出的薄膜厚度准确性较低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术中的不足,提供一种薄膜厚度的测试方法、测试系统、存储介质及电子设备,可提高薄膜厚度的测试精度。
根据本公开的一个方面,提供一种薄膜厚度的测试方法,所述薄膜包括图案化膜层和位于所述图案化膜层表面的待测膜层,所述测试方法包括:
收集第一光谱,以得到所述图案化膜层的参数;
调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜;
检测所述目标薄膜的光谱,得到第二光谱;
根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述图案化膜层包括多层堆叠分布的子膜层,各所述子膜层中至少有两层所述子膜层相互交叉,且在平行于所述待测膜层的方向上互不分离。
在本公开的一种示例性实施例中,所述测试方法还包括:
形成参考薄膜,所述参考薄膜包括参考膜层和位于所述参考膜层表面的待测试膜层,所述参考膜层包括多个子材料层,各所述子材料层均与所述待测试膜层平行分布;所述子材料层的数量与所述子膜层的数量相等,且各所述子材料层的材料与各所述子膜层的材料一一对应相同;
根据所述参考膜层的参数调节所述图案化膜层的参数。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据所述参考膜层的参数调节所述图案化膜层的参数,包括:
收集第三光谱,以得到所述参考膜层的参数;
根据所述参考膜层的参数调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,以使所述图案化膜层的参数与所述参考膜层的参数一致。
在本公开的一种示例性实施例中,所述调节所述第一光谱中所述图案化膜层的参数,并锁定所述图案化膜层的参数,以形成目标薄膜,包括:
根据所述薄膜的制程信息确定各所述子膜层的材料对应的参数,在相互交叉的两层子膜层中,一所述子膜层的参数为第一参数,另一所述子膜层的参数为第二参数;
在所述第一参数和所述第二参数之间调节所述图案化膜层的参数,并在所述图案化膜层的参数与参考膜层的参数相同时停止调节,调节参数后的图案化膜层与所述待测膜层共同构成目标薄膜。
在本公开的一种示例性实施例中,所述根据所述第二光谱确定所述待测膜层的厚度,包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110162038.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。