[发明专利]一种用于芯片封装的引线框架及制备方法

说明书

本发明公开了一种用于芯片封装的引线框架及制备方法。引线框架包括框架电路和承载板，框架电路包括复数个按矩阵布置的单元电路和第一阻焊油墨层，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极和底电极；顶电极布置在第一阻焊油墨层的顶面上；对应于每个单元电路，第一阻焊油墨层包括与电极对应的底电极孔，底电极布置在底电极孔中，底电极的顶部固定在顶电极的底面上；承载板包括热固化粘接层，热固化粘接层可剥离地粘贴在第一阻焊油墨层和底电极的底面上。本发明的引线框架结构简单，封装时不会有渗胶的风险，不需要后磨胶、后电镀，不会影响打线的效率和良率，工艺简单，成本较低。

[技术领域]

本发明涉及芯片封装，尤其涉及一种用于芯片封装的引线框架及制备方法。

[背景技术]

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。

QFN(四面扁平无引脚封装)及DFN(双扁平无引脚封装)封装是在近几年随着通讯及便携式小型数码电子产品的产生(数码相机、手机、PC、MP3) 而发展起来的、适用于高频、宽带、低噪声、高导热、小体积,高速度等电性要求的中小规模集成电路的封装。QFN/DFN封装有效地利用了引线脚的封装空间，从而大幅度地提高了封装效率。但目前大部分半导体封装厂商QFN/DFN 的制造过程中都面临一些工艺困惑，原因是现有QFN/DFN工艺为防止塑封前的工序刮伤引脚和避免塑封时塑封树脂溢到引线脚，一般采用在引线框(L/F) 背面加贴耐高温膜的方法来阻断塑封时树脂的随意流动，而这一方法在解决上述问题的同时却导致了另外一系列的工艺问题：

目前塑胶耐高温膜的耐温不能超过270℃,考虑到膜上粘片胶残留的问题，实际工艺允许温度会更低，一般不超过220℃，因此使QFN只能适应于导电胶装片工艺，而半导体封装的共晶及软焊料工艺都不能是使用该工艺，从而使封装的导电及导热性能均受到了限制；

QFN/DFN框架多为半蚀刻框架，框架背面贴有胶膜时，框架部分区域不能 100％与胶膜结合，因此打线时会因胶膜弹性很容易影响到第二焊点的质量及打线速度；压焊高温易使框架背面的胶膜变形、出现气泡等，导致塑封时溢料的产生；打线时焊接的功率会被耐高温膜吸收，从而造成焊接牢度下降(金线测克拉力下降)，金线会在塑封时被塑封胶冲断，而更为严重的是产品通过了各项检测但可靠性存在隐患；塑封时注射压力不能按半导体工艺进行控制，否则会产生塑封树脂高出金属引线脚甚至于溢到引线脚表面的现象即溢胶问题，如工艺中耐高温膜与引线框稍有贴合不紧，则此现象更加明显；溢胶如处理不彻底还会造成最终产品在表面贴装工艺(SMT)过程中的易焊性不良。

专利号为201120197485.X的实用新型公开了一种球焊后框架贴膜封装件，包括第一IC芯片，第一IC芯片与引线框架通过粘片胶或胶膜片(DAF) 相连，第一IC芯片上的焊点通过第一键合线与引线框架的内引脚连接，该实用新型能够将引线框架很好的固定，球焊时所用引线框架背面不用贴胶膜，这样框架与压焊夹具的结合更紧密，可将引线框架很好的固定,从而避免了因框架背面胶膜回弹而引起的打线速度慢、质量差的问题；球焊后再进行框架贴膜，可避免球焊时因焊接温度过高引起的管脚背面胶膜残留，以及高温导致胶膜变形、产生气泡而引起的塑封溢料等缺陷。

该实用新型单元电路之间互连，分割连接筋会耗时耗刀，边缘会有披锋毛刺甚至有分层的风险；针对每一种产品需要订制相应的治具，加工工艺复杂，尤其是精密的产品贴膜时需要避开焊线区域及芯片部位，会导致加工难度大，成本增加；由于框架上装载芯片后贴膜的难度的影响，膜与框架间贴合的密实性会有渗胶的风险。

[发明内容]

本发明要解决的技术问题是提供一种制备工艺简单、成本较低的引线框架。

本发明另一个要解决的技术问题是提供一种制备工艺简单、成本较低的引线框架制备方法。