[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

(a)提供半导体晶片，所述半导体晶片包括：

半导体衬底；

非易失性存储器，形成在所述半导体衬底中；

焊盘，形成在所述半导体衬底上并且与所述非易失性存储器电连接，并且所述焊盘包括铝；以及

绝缘膜，形成在所述半导体衬底上并且包括有机材料，其中所述焊盘的表面具有：

第一区域，在所述绝缘膜的第一开口部分中露出；以及

第二区域，在所述绝缘膜的与所述第一开口部分不同的第二开口部分中露出，并且

其中通过对所述有机材料执行第一热处理来形成所述绝缘膜；

(b)在所述(a)之后，通过使探针接触位于所述第二区域中的所述焊盘的表面来将数据写入到所述非易失性存储器；

(c)在所述(b)之后，对所述半导体晶片执行第二热处理，并检查在所述(b)中被写入所述数据的所述非易失性存储器，

其中所述第二热处理的温度低于所述第一热处理的温度，并且

其中每一次的所述第二热处理的时间比每一次的所述第一热处理的时间长；

(d)在所述(c)之后，通过使用电镀法在位于所述第一区域中的所述焊盘的表面上形成包括镍的阻挡层；

(e)在所述(d)之后，通过使用所述电镀法在所述阻挡层上形成包括锡的第一焊料材料；以及

(f)在所述(e)之后，通过对所述第一焊料材料执行第三热处理，在位于所述第一区域中的所述焊盘的表面上经由所述阻挡层形成凸块电极，

其中所述第三热处理的温度低于所述第一热处理的温度，并且

其中每一次的所述第三热处理的时间短于每一次的所述第二热处理的时间。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述非易失性存储器包括：

浮置栅极电极，经由包括氧化硅的隧道氧化膜形成在所述半导体衬底上；

控制栅极电极，经由由氧化硅制成的层间绝缘膜以及由氧化硅和氮化硅制成的层间绝缘膜中的一者形成在所述浮置栅极电极上；

源极区域，形成在所述半导体衬底的第一部分中，所述第一部分位于所述浮置栅极电极的一侧；以及

漏极区域，形成在所述半导体衬底的第二部分中，所述第二部分位于所述浮置栅极电极的另一侧，并且

其中所述隧道氧化膜的厚度小于或等于10nm。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

(g)在所述(c)之后且在所述(d)之前，通过使用PVD(物理气相沉积)方法，在所述半导体衬底上形成种子层，

其中在位于所述第二区域中的所述焊盘的所述表面被掩模覆盖的状态下、以及在位于所述第一区域中的所述焊盘的所述表面从所述掩模中露出的状态下，执行所述(d)和所述(e)中的每一者，以及

其中在所述(e)之后且在所述(f)之前，去除所述种子层从所述第一焊料材料和所述阻挡层中的每一者中露出的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

(h)在所述(f)之后，通过切割所述半导体晶片，获得半导体芯片，所述半导体芯片具有所述凸块电极、所述阻挡层、所述焊盘和所述非易失性存储器；以及

(i)在所述(h)之后，将通过所述(h)获得的所述半导体芯片经由所述凸块电极安装在中介层上，

其中在所述(i)中，垂直负载被施加到所述半导体芯片。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

(j)在所述(i)之后，利用具有多种填料的树脂来密封在所述半导体芯片和所述中介层之间的间隙。