[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在根据一个实施例的制造半导体器件的方法中，在提供包括非易失性存储器、焊盘以及包括有机材料的绝缘膜的半导体晶片之后，使探针接触位于第二区域中的焊盘的表面，并且数据被写入到非易失性存储器。在此，通过对有机材料执行第一热处理来形成绝缘膜。而且，在对半导体晶片执行第二热处理并检查其中被写入数据的非易失性存储器之后，通过使用电镀法来在位于第一区域中的焊盘的表面上形成阻挡层和第一焊料材料。此外，通过对第一焊料材料执行第三热处理来在第一区域中形成凸块电极。

相关申请的交叉引用

于2020年2月27日提交的日本专利申请No.2020-031649的公开内容(包括说明书、附图和摘要)，通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，更特别地，本发明可以适用于半导体芯片，该半导体芯片具有经过晶片测试过程的非易失性存储器以及凸块电极，该凸块电极与非易失性存储器电连接并且还包括锡(Sn)，并且本发明可以适用于半导体芯片的制造方法。

背景技术

下面列出了公开的技术。

[专利文献1]日本未审查专利申请公开No.2009-246218

[专利文献2]日本未审查专利申请公开No.2016-92305

[专利文献3]日本未审查专利申请公开No.2020-17642

存在一种包括焊盘的半导体芯片，该焊盘具有待与探针接触的区域以及经由通过使用电镀法而形成的导电膜在其上形成凸块电极的区域(例如，参见专利文献1的图34)。此外，为了避免在形成包括有机材料的绝缘膜时，由于热处理(加热温度)而导致被写入到存储器电路的数据消失，还存在一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在通过对有机材料执行热处理而形成绝缘膜之后，使探针与焊盘的表面接触，并将数据写入到存储器电路(例如，参见专利文献2的图3)。此外，还存在一种包括半导体衬底的半导体芯片，在该半导体衬底上形成绝缘膜，该绝缘膜具有露出待与探针接触的区域的开口部分，以及露出通过使用电镀法在其上形成导电膜的区域的开口部分(例如，参见专利文献3的图13)。

发明内容

本发明人已经研究了半导体芯片的小型化(具体地，“变薄”)，该半导体芯片具有经受晶片测试过程的非易失性存储器，以及与非易失性存储器电连接并且还包括锡(Sn)的凸块电极。另外，本发明人发现，根据半导体芯片的小型化，存在在晶片测试过程中被写入到非易失性存储器的数据会丢失的可能性。

根据本说明书的描述和附图，其他目的和新颖特征将变得显而易见。

下面将简要描述本申请中公开的典型实施例。

根据一个实施例的制造半导体器件的方法，包括：(a)提供半导体晶片，该半导体晶片包括非易失性存储器、焊盘和包括有机材料的绝缘膜。在此，焊盘的表面具有第一区域和第二区域。并且，通过对有机材料执行第一热处理来形成绝缘膜。而且，该方法包括：(b)在(a)之后，使探针与位于第二区域中的焊盘的表面接触，并将数据写入到非易失性存储器。而且，该方法包括：(c)在(b)之后，对半导体晶片执行第二热处理，并且检查其中被写入数据的非易失性存储器。在此，第二热处理的温度低于第一热处理的温度。并且，每一次的第二热处理的时间比每一次的第一热处理的时间长。而且，该方法包括：(d)在(c)之后，通过使用电镀法在位于第一区域中的焊盘的表面上形成阻挡层。而且，该方法包括：(e)在(d)之后，通过使用电镀法在阻挡层上形成第一焊料材料。此外，该方法包括：(f)在(e)之后，通过对第一焊料材料执行第三热处理，在位于第一区域中的焊盘的表面上经由阻挡层形成凸块电极。在此，第三热处理的温度低于第一热处理的温度。并且，每一次的第三热处理的时间比每一次的第二热处理的时间短。