[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，具备：

多条第1布线，分别在第1方向延伸；

多条第2布线，分别在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；

多个第1存储单元，设置在所述多条第1布线与所述多条第2布线之间，分别包含串联连接的第1开关元件及第1磁阻效应元件，所述第1开关元件与对应的所述第1布线连接，所述第1磁阻效应元件与对应的所述第2布线连接；且

所述第1开关元件包含：第1下部电极，设置在所述第1布线侧；第1上部电极，设置在所述第1磁阻效应元件侧；及第1开关材料层，设置在所述第1下部电极与所述第1上部电极之间；

在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元中所含的所述第1下部电极连续地设置在所述第1布线上，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察，所述第1下部电极的图案与所述第1布线的图案一致，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接，所述第1下部电极连续地设置在将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接的所述第1布线上。

3.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察，任意所述第1存储单元中所含的所述第1磁阻效应元件的图案，相对于所述任意第1存储单元中所含的所述第1开关元件的所述第1下部电极的图案而向所述第2方向偏移。

4.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

所述第1存储单元进而包含侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层设置在所述第1开关元件的所述第1上部电极及所述第1开关材料层的侧壁、以及所述第1磁阻效应元件的侧壁。

5.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元中所含的所述第1开关材料层，于在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元间的区域中相互隔开。

6.根据权利要求1所述的磁存储装置，其中

在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元中所含的所述第1开关材料层连续地设置在所述第1布线的上方，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接。

7.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察，所述第1开关材料层的图案与所述第1布线的图案一致，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接，所述第1开关材料层连续地设置在将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接的所述第1布线的上方。

8.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察，任意所述第1存储单元中所含的所述第1磁阻效应元件的图案，相对于所述任意第1存储单元中所含的所述第1开关元件的所述第1开关材料层的图案而向所述第2方向偏移。

9.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

从与所述第1及第2方向交叉的第3方向观察，任意所述第1存储单元中所含的所述第1磁阻效应元件的图案，相对于所述任意第1存储单元中所含的所述第1开关元件的所述第1上部电极的图案而向所述第2方向偏移。

10.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

连续地设置在所述第1布线的上方的所述第1开关材料层，由含有15族元素的氧化硅形成，且于在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元间的部分中进而含有13族元素，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接。

11.根据权利要求6所述的磁存储装置，其中

所述第1存储单元进而包含设置在所述第1开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。