[发明专利]磁存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种具备具有适当特性的磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：多条第1布线，分别在第1方向延伸；多条第2布线，分别在与所述第1方向交叉的第2方向延伸；多个第1存储单元，设置在所述多条第1布线与所述多条第2布线之间，分别包含串联连接的第1开关元件及第1磁阻效应元件，所述第1开关元件与对应的所述第1布线连接，所述第1磁阻效应元件与对应的所述第2布线连接；且所述第1开关元件包含：第1下部电极，设置在所述第1布线侧；第1上部电极，设置在所述第1磁阻效应元件侧；及第1开关材料层，设置在所述第1下部电极与所述第1上部电极之间；且在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元中所含的所述第1下部电极连续地设置在所述第1布线上，所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接。

[相关申请案]

本申请案享有以日本专利申请案2020-156164号(申请日：2020年9月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种磁存储装置。

背景技术

人们提出过一种磁存储装置，其是将包含磁阻效应元件(magnetoresistanceeffect element)及开关元件的存储单元集成化在半导体衬底上的装置。

然而，随着元件趋于微细化，越来越难以加工存储单元。基于所述状况，人们寻求一种在元件特性上具有可靠性的磁阻效应元件。

发明内容

本发明所要解决的课题在于，提供一种具备具有适当特性的磁阻效应元件的磁存储装置。

实施方式的磁存储装置具备：多条第1布线，分别在第1方向延伸；多条第2布线，分别在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；及多个第1存储单元，设置在所述多条第1布线与所述多条第2布线之间，分别包含串联连接的第1开关元件及第1磁阻效应元件，所述第1开关元件与对应的所述第1布线连接，所述第1磁阻效应元件与对应的所述第2布线连接；且所述第1开关元件包含：第1下部电极，设置在所述第1布线侧；第1上部电极，设置在所述第1磁阻效应元件侧；及第1开关材料层，设置在所述第1下部电极与所述第1上部电极之间；且在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元中所含的所述第1下部电极连续地设置在所述第1布线上，该所述第1布线将在所述第1方向上互为相邻的所述第1存储单元连接。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的基本构成的立体图。

图2A及图2B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的构成的截面图。

图3是示意性地表示第1实施方式的选择器的电流-电压特性的图。

图4A及图4B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图5A及图5B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图6A及图6B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图7A及图7B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图8A及图8B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图9A及图9B分别是示意性地表示第1实施方式的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。

图10是示意性地表示第1实施方式中产生对准偏移的情况的磁存储装置的构成的截面图。

图11A及图11B分别是示意性地表示第1实施方式的变化例的磁存储装置的制造方法的一部分的截面图。