[发明专利]接合设备及接合方法

说明书

本发明的实施例涉及一种接合设备及一种接合方法。根据本发明实施例的接合设备包含第一固持器及第二固持器。所述第一固持器固持第一衬底。所述第二固持器包含吸取第二衬底且围绕所述第二衬底的中心基本上均匀地布置于同心圆上的多个吸取部分。所述第二固持器将所述第二衬底接合到所述第一衬底，同时使所述第二衬底与所述第一衬底相对。第一气体供应部分具有多个第一气体供应端口以朝向所述第一衬底与所述第二衬底之间的接合位置供应气体。所述第一气体供应端口经提供以对应于作为所述吸取部分中最远离所述第二固持器的中心的吸取部分的最外吸取部分的至少一部分，且围绕所述中心基本上均匀地同心布置于一圆上。

相关申请案的交叉参考

本申请案是基于且主张来自2020年2月27日申请的第2020-31865号现有日本专利申请案的优先权权益，所述日本专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的实施例涉及一种接合设备及一种接合方法。

背景技术

已知一种通过分子间力使半导体衬底彼此接合的设备。此接合设备固持上衬底且通过撞针下压上衬底的中心以使其与下衬底的中心接触。此后，上衬底从其中心到其外圆周部分接合到下衬底，使得接合面积扩大。因此，上衬底与下衬底最终彼此完全接合。

然而，当上衬底的外边缘部分经接合到下衬底时，上衬底的外边缘部分与下衬底的外边缘部分之间的气体使高压状态突然转变到低压状态且产生绝热膨胀。当气体中所含的湿气由于气体的绝热膨胀而冷凝时，会在上衬底的外边缘部分与下衬底的外边缘部分之间产生空隙。这些空隙导致不良接合，从而导致可靠性降低。

发明内容

根据本实施例的接合设备包含第一固持器及第二固持器。所述第一固持器固持第一衬底。所述第二固持器包含吸取第二衬底且围绕所述第二衬底的中心基本上均匀地布置于同心圆上的多个吸取部分。所述第二固持器将所述第二衬底接合到所述第一衬底，同时使所述第二衬底与所述第一衬底相对。第一气体供应部分具有多个第一气体供应端口以朝向所述第一衬底与所述第二衬底之间的接合位置供应气体。所述第一气体供应端口经提供以对应于作为所述吸取部分中最远离所述第二固持器的中心的吸取部分的最外吸取部分的至少一部分，且围绕所述第二固持器的所述中心基本上均匀地同心布置于一圆上。

根据实施例，可防止在半导体晶片之间的接合表面处冷凝及产生空隙。

附图说明

图1是说明根据第一实施例的接合设备的配置实例的横截面图；

图2是说明固持器及气体供应部分的配置实例的透视图；

图3A到3F是说明使半导体晶片彼此接合的方法的实例的横截面图；

图4A到4D是说明接合过程中的固持器及半导体晶片的平面图；

图5A及5B是说明半导体晶片彼此接合时的固持器的端部及气体供应部分的横截面图；

图6是说明根据本实施例的紧接在接合在一起之前的半导体晶片的横截面图；

图7A及7B是说明管及类似物的配置及功能的实例的横截面图；

图8是说明根据第一实施例的第一修改的接合设备的配置实例的平面图；

图9是说明根据第一实施例的第二修改的接合设备的配置实例的平面图；

图10是说明根据第一实施例的第三修改的接合设备的配置实例的平面图；

图11是说明根据第一实施例的第四修改的接合设备的配置实例的平面图；

图12是说明根据第二实施例的接合设备的配置实例的平面图；及