[发明专利]一种掩膜板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110166568.0 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN112859512A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 钱超;余洋;黄斌;植启东 申请(专利权)人: 南京深光科技有限公司
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64;G03F1/68;G03F9/00
代理公司: 南京行高知识产权代理有限公司 32404 代理人: 肖念
地址: 210038 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜板,包括掩膜板本体(1)和掩膜板边框(2)和掩膜板基底(3),所述掩膜板基底(3)层叠在掩膜板本体(1)的背部,其特征在于,所述掩膜板基底(3)与掩膜板本体(1)粘合,所述掩膜板本体(1)的侧边嵌合有贴条(4),所述掩膜板本体(1)通过贴条(4)与掩膜板边框(2)粘合;

所述掩膜板边框(2)上分有第一准备区(5)和第二准备区(6),所述第一准备区(5)和第二准备区(6)长度大于其宽度,所述第一准备区(5)和第二准备区(6)上刻有校准图形。

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板本体(1)包含三层,分别是中间层(7)、衬底层(8)及导电层(9),所述中间层(7)、衬底层(8)及导电层(9)依次叠加,所述中间层(7)顶部有覆盖层(10),所述覆盖层(10)厚度2.0-3.5nm,所述导电层(9)为60.0-90.0nm。

3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述中间层(7)为35-45层片板组成,所述片板为Mo-Si材质,所述中间层(7)的总厚度控制于24.8nm-32.0nm。

4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述贴条(4)嵌合于掩膜板本体(1)侧边的中心处,并围绕掩膜板本体(1)整体边缘设置。

5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一准备区(5)和第二准备区(6)宽度比例为2:1。

6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述校准图形为多个校准点组,每个所述校准点组包括两个校准点,所述校准点深度为1.0-2.0nm。

7.一种掩膜板的制作方法,应用于权利要求1-6任一项所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,组合连接:将掩膜板本体(1)平铺并进行夹持,夹持位置位于其最底部,在将掩膜板边框(2)从上至下逐渐与掩膜板本体(1)贴合对齐,通过贴条(4)进行焊接粘合;

S2,压紧平整:将S1中掩膜板本体(1)和掩膜板边框(2)的贴合整体的上端面进行压紧平整对齐;

S3,模板拼合:将掩膜板本体(1)与电铸模板对接并涂设消融材料层,随后再对该消融材料层进行持续曝光,后再进行电铸;

S4,拆分:将S3中的电铸层与电铸模板上分离得到掩膜板。

8.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述电铸模板内设置有阴极片和阳极片,所述阴极片和阳极片上设有封闭模组,所述封闭模组上开设有多个通电孔,所述通电孔呈突出的锥孔状,所述通电孔分置于封闭模组的上下两端边缘。

9.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,所述持续曝光时间1-3s,曝光次数为1-3次。

10.根据权利要求8所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,两组所述封闭模组上的通电孔位置相同且相互对应,锥状通电孔的小孔径与大孔径比值为1:3。

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