[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；以及

基板，具有上述第1电极所接触的第1面和与上述第1面对置的第2面，上述基板在上述第1面具有第2方向的长度小于第1方向的长度的第1槽，上述第1方向平行于上述第1面，上述第2方向与上述第1方向交叉且平行于上述第1面，

上述基板具备：

第1导电型的第1半导体层；

第2半导体层，设于上述第1半导体层与上述第2面之间，且上述第1导电型的杂质浓度高于上述第1半导体层；

第2导电型的第1半导体区域，设于上述第2半导体层与上述第2面之间；

第1导电型的第2半导体区域，设于上述第1半导体区域与上述第2面之间；以及

第2电极，在从上述第2面到达上述第2半导体层且在上述第2方向上延伸的第1沟槽内，隔着第1绝缘膜而与上述第1半导体区域对置设置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第1槽未贯通上述基板的侧面。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第1电极具有通过覆盖上述第1面的上述第1槽而与上述第1槽对应的第2槽。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，

在上述第1槽之中设有第3槽，上述第3槽的上述第1方向上的长度比上述第1槽的上述第1方向上的长度短，在与上述第1方向以及上述第2方向交叉的第3方向上，上述第3槽的深度比上述第1槽的深度深。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第1面，在上述第2方向上在上述第1槽与上述基板的端部之间，具有与上述第1槽相比上述第2方向的长度更短的第4槽。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第1面，在上述第2方向上在上述第1槽与上述基板的端部之间，具有与上述第1槽相比上述第2方向的长度更长的第5槽。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，

上述第1面具有多个第6槽和多个第7槽，上述多个第6槽在上述第1方向上与上述第1槽并排，上述多个第7槽在上述第2方向上分别与上述第1槽以及上述多个第6槽并排。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，

上述基板还具备：

上述第2导电型的第3半导体区域，设于上述第2半导体层与上述第2面之间；

上述第1导电型的第4半导体区域，设于上述第3半导体区域与上述第2面之间；以及

第3电极，在从上述第2面到达上述第2半导体层且在上述第2方向上延伸的第2沟槽内，隔着第2绝缘膜而与上述第3半导体区域对置地设置，

上述基板具有第1区域和第2区域，上述第1区域具有上述第1半导体区域、上述第2半导体区域和上述第2电极，上述第2区域与上述第1区域在上述第1方向上邻接，并且上述第2区域具有上述第3半导体区域、上述第4半导体区域和上述第3电极，

上述第1槽跨过上述第1区域和上述第2区域。