[发明专利]半导体装置在审

申请号：	202110167317.4	申请日：	2021-02-07
公开（公告）号：	CN114203826A	公开（公告）日：	2022-03-18
发明（设计）人：	小岛秀春	申请（专利权）人：	株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/40
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	牛玉婷
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置
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【说明书】：

实施方式提供良品率高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1电极和基板，上述基板具有第1电极所接触的第1面、和与第1面对置的第2面，在第1面具有与平行于第1面的第1方向的长度相比、与第1方向交叉且与第1面平行的第2方向的长度更短的第1槽，基板具有：第1导电型的第1半导体层、设于第1半导体层与第2面之间且第1导电型的杂质浓度比第1半导体层高的第2半导体层、设于第2半导体层与第2面之间的第2导电型的第1半导体区域、设于第1半导体区域与第2面之间的第1导电型的第2半导体区域、和在从第2面到达第2半导体层且在第2方向上延伸的第1沟槽内隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域对置地设置的第2电极。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2020－157832号(申请日：2020年9月18日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等半导体装置被用于电力转换等用途。关于这样的半导体装置，期望的是良品率高的半导体装置。

发明内容

本发明的实施方式提供良品率高的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1电极和基板，上述基板具有第1电极所接触的第1面和与第1面对置的第2面，上述基板的第1面具有第2方向的长度小于第1方向的长度的第1槽，上述第1方向平行于上述第1面，上述第2方向与上述第1方向交叉且平行于上述第1面，基板具有：第1导电型的第1半导体层、设于第1半导体层与第2面之间且第1导电型的杂质浓度比第1半导体层高的第2半导体层、设于第2半导体层与第2面之间的第2导电型的第1半导体区域、设于第1半导体区域与第2面之间的第1导电型的第2半导体区域、和在从第2面到达第2半导体层且在第2方向上延伸的第1沟槽内隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域对置地设置的第2电极。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意性的电路图。

图2是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3是第1实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图4是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图。

图5是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图的其他的一例。

图6是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图。

图7是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图的其他的一例。

图8是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图。

图9是第1实施方式的半导体装置的主要部分的示意剖面图。

图10是成为第1实施方式的比较方式的半导体装置的示意剖面图。

图11是第2实施方式的半导体装置的主要部分的示意图。