[发明专利]一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110168120.2 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113004047B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 战再吉;程庭信;曹海要 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张明月 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 crzrtinbv 陶瓷 块体 及其 制备 方法 | ||
1.一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法，其特征在于：所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；制备方法包括以下步骤：
（1）预合金化陶瓷粉体的制备：在氩气保护氛围下，称取等摩尔比的CrN、ZrN、NbN、TiN、VN五种粉末，加入一定量的酒精，将粉末进行球磨，得到成分均匀的纳米尺寸的陶瓷粉末混合物；
（2）高熵陶瓷粉体的制备：真空条件下，将步骤（1）得到的纳米尺寸的陶瓷粉末混合物进行热处理，热处理后再进行退火处理，得到具有超细晶的(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷粉体；所述热处理温度为700～900℃，热处理时间为0.5～1h；
（3）高熵陶瓷块体的制备：将步骤（2）制备的超细晶的(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷粉体在氩气保护氛围下装入石墨模具中，在真空热压炉中进行烧结，得到(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体；所述烧结采用辐射加热方式，烧结温度为1200℃～1550℃，烧结过程的升温速率为10℃/min，烧结时间为2～5h，烧结压力为30Mpa。
2.根据权利要求1所述的一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）的球磨转速为220～260r/min，球磨时间为30h～40h，球料比为10:1。
3.根据权利要求1所述的一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中五种粉末的总质量与酒精的体积比为25:2。
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