[发明专利]一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置

权利要求书

1.一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，其特征在于，包括：

机体（1），所述机体（1）上开设有加热内腔（3），所述加热内腔（3）的内壁上固定安装有腔体陶瓷衬（4）。

2.根据权利要求1所述的一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，其特征在于，所述加热内腔（3）的内底部中心开设有圆形通孔（15）,所述加热内腔（3）的内底部位于所述圆形通孔（15）的上部固定安装有热盘（2），所述热盘（2）的上表面开设有上下贯穿的顶针孔（7），所述顶针孔（7）的内部固定连接有滑套（701），所述滑套（701）的上端表面与热盘（2）的上部表面齐平；

升降环（6），所述升降环（6）设置在所述热盘（2）以及圆形通孔（15）的正下方，所述升降环（6）的顶部固定安装有若干组顶针（5），所述顶针（5）的上端贯穿于所述圆形通孔（15）并滑动插接于所述顶针孔（7）内部的滑套（701）内，所述升降环（6）的下部安装有用于驱动升降环（6）的升降机构（12）；

所述升降环（6）的上部固定连接有顶板（601），所述顶板（601）的上部表面开设有螺纹盲孔（602），所述升降环（6）的内壁上开设有内螺纹（604），所述顶针（5）的下端设置为细径部（501），所述细径部（501）的外侧表面上设置有与所述螺纹盲孔（602）配合的第一外螺纹（502），所述顶针（5）的上端固定连接有锥形体（503），所述锥形体（503）的上部表面中心开设有内六角孔（504），所述锥形体（503）的上表面边部固定粘接有扁平橡胶圈（505）；

所述升降机构（12）包括底座（1201），所述底座（1201）的内部设置为中空结构，且底座（1201）的内底部竖直固定安装有正反转减速电机（1202），所述底座（1201）的上部表面固定连接有支撑套筒（1204），所述支撑套筒（1204）的下端与所述底座（1201）的内部连通，所述支撑套筒（1204）的内部通过两组支撑轴承（1205）转动安装有传动轴（1206），所述传动轴（1206）的上端通过转盘轴承（1208）转动安装在所述热盘（2）的底部表面中心，所述传动轴（1206）的下端通过联轴器（1203）与所述正反转减速电机（1202）的电机轴传动连接；

所述热盘（2）的上部表面安装有覆盖盘（8），所述覆盖盘（8）的上部表面外圈上固定连接有边缘环（9），所述热盘（2）包括有隔热底盘（201），所述隔热底盘（201）的内腔中填充有石棉保温填充层（203），所述石棉保温填充层（203）的上部表面铺设有电热丝（202），所述电热丝（202）呈螺旋结构铺设，且与所述滑套（701）错开；所述隔热底盘（201）的上部还固定连接有导热盘（204），所述覆盖盘（8）安装在导热盘（204）的上部表面；

所述机体（1）的一侧安装有DXZ型行程限位器（11），所述机体（1）的一侧还安装有PLC控制器，所述PLC控制器的控制输出端分别与所述正反转减速电机（1202）的电控端以及电热丝（202）的电控端电性连接，所述加热内腔（3）的内部还安装有温度传感器，所述温度传感器的感温端与所述覆盖盘（8）的边缘接触，且所述温度传感器的信号输出端与所述PLC控制器的信号输入端电性连接；

还包括有支撑架（10），所述支撑架（10）的一端固定连接有支撑环（13），所述支撑环（13）固定安装在机体（1）的下部表面，所述底座（1201）固定连接在所述支撑架（10）的一侧。

3.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，其特征在于，所述支撑环（13）的表面贯穿安装有电源线（14），所述电源线（14）的一端贯穿所述热盘（2）并与所述电热丝（202）电性连接。

4.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，其特征在于，所述传动轴（1206）的上部设置有与所述升降环（6）内部的内螺纹（604）相匹配的第二外螺纹（1207）。

5.根据权利要求2所述的一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，其特征在于，所述螺纹盲孔（602）的内底部固定粘接有弹性橡胶垫（603）。