[发明专利]一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置

说明书

本发明公开了一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，包括机体，机体上开设有加热内腔，加热内腔的内壁上固定安装有腔体陶瓷衬，加热内腔的内底部固定安装有热盘，热盘的上表面开设有上下贯穿的顶针孔，顶针孔的内部固定连接有滑套；升降环的顶部固定安装有若干组顶针，顶针的上端滑动插接于顶针孔内部的滑套内，升降环的下部安装有用于驱动升降环的升降机构；热盘的上部表面安装有覆盖盘，覆盖盘的上部表面外圈上固定连接有边缘环；本发明利用电热丝热盘的方式进行加热，并将其与DXZ型行程限位器的传送机构合二为一，提高了工艺温度稳定性与传送精度；在热盘的上部表面设置了覆盖盘以及边缘环，有效防止了热盘表面损伤，延长了使用寿命。

技术领域

本发明涉及碳化硅晶片VCD加工技术领域，具体来说，涉及一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置。

背景技术

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

现有技术工艺碳化硅晶片承载座传动结构不稳定，热盘加热为灯泡加热，温度控制精度欠佳，且晶片承载盘裸露在工艺环境中容易造成损坏。为此，我们提出一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置。

发明内容

本发明的技术任务是针对以上不足，提供一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，利用电热丝热盘的方式进行加热，并将其与DXZ型行程限位器的传送机构合二为一，提高了工艺温度稳定性与传送精度；在热盘的上部表面设置了覆盖盘以及边缘环，有效防止了热盘表面损伤，延长了使用寿命，来解决上述问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种适用于碳化硅晶片VCD工艺腔体装置，包括：

机体，所述机体上开设有加热内腔，所述加热内腔的内壁上固定安装有腔体陶瓷衬，所述加热内腔的内底部中心开设有圆形通孔,所述加热内腔的内底部位于所述圆形通孔的上部固定安装有热盘，所述热盘的上表面开设有上下贯穿的顶针孔，所述顶针孔的内部固定连接有滑套，所述滑套的上端表面与热盘的上部表面齐平；

升降环，所述升降环设置在所述热盘以及圆形通孔的正下方，所述升降环的顶部固定安装有若干组顶针，所述顶针的上端贯穿于所述圆形通孔并滑动插接于所述顶针孔内部的滑套内，所述升降环的下部安装有用于驱动升降环的升降机构；

所述升降环的上部固定连接有顶板，所述顶板的上部表面开设有螺纹盲孔，所述升降环的内壁上开设有内螺纹，所述顶针的下端设置为细径部，所述细径部的外侧表面上设置有与所述螺纹盲孔配合的第一外螺纹，所述顶针的上端固定连接有锥形体，所述锥形体的上部表面中心开设有内六角孔，所述锥形体的上表面边部固定粘接有扁平橡胶圈；

所述升降机构包括底座，所述底座的内部设置为中空结构，且底座的内底部竖直固定安装有正反转减速电机，所述底座的上部表面固定连接有支撑套筒，所述支撑套筒的下端与所述底座的内部连通，所述支撑套筒的内部通过两组支撑轴承转动安装有传动轴，所述传动轴的上端通过转盘轴承转动安装在所述热盘的底部表面中心，所述传动轴的下端通过联轴器与所述正反转减速电机的电机轴传动连接；

所述热盘的上部表面安装有覆盖盘，所述覆盖盘的上部表面外圈上固定连接有边缘环，所述热盘包括有隔热底盘，所述隔热底盘的内腔中填充有石棉保温填充层，所述石棉保温填充层的上部表面铺设有电热丝，所述电热丝呈螺旋结构铺设，且与所述滑套错开；所述隔热底盘的上部还固定连接有导热盘，所述覆盖盘安装在导热盘的上部表面；

所述机体的一侧安装有DXZ型行程限位器，所述机体的一侧还安装有PLC控制器，所述PLC控制器的控制输出端分别与所述正反转减速电机的电控端以及电热丝的电控端电性连接，所述加热内腔的内部还安装有温度传感器，所述温度传感器的感温端与所述覆盖盘的边缘接触，且所述温度传感器的信号输出端与所述PLC控制器的信号输入端电性连接。