[发明专利]一种背照式图像传感器焊盘打开的方法在审
申请号: | 202110169575.6 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN112802864A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张凯;叶武阳;陈艳明;朱雅男;方小磊 | 申请(专利权)人: | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G03F9/00 |
代理公司: | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人: | 高一明;郭婷 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 背照式 图像传感器 打开 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,在光刻机对准单元上增加红外光源,利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记,进行直接对准;经过红外光源对准光刻后,利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,工艺流程包括:
S1:在光刻机对准单元上增加红外光源,并调整光路;
S2:进行深硅光刻工艺;
S3:进行深硅刻蚀工艺。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S2所述深硅光刻工艺包括:涂胶、曝光和显影;在进行涂胶后的硅片上利用所述红外光源透过顶硅对准晶圆前层预留对准标记,实现对准,进行曝光,然后进行显影。
4.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S3所述深硅刻蚀工艺为Bocsh深硅刻蚀工艺。
5.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,工艺流程还包括:
S4:进行介质光刻工艺;
S5:进行介质刻蚀工艺。
6.如权利要求5所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S4所述介质光刻工艺为在深硅槽中进行光刻涂胶工艺,需要在深硅槽中填充光刻胶,同时保证晶圆表面光刻胶旋涂均匀,满足后续介质刻蚀需求。
7.如权利要求5所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S5所述介质刻蚀工艺中需要管控底层焊盘技术的流水量,再将焊盘完全打开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的