[发明专利]一种背照式图像传感器焊盘打开的方法在审

专利信息
申请号: 202110169575.6 申请日: 2021-02-07
公开(公告)号: CN112802864A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 张凯;叶武阳;陈艳明;朱雅男;方小磊 申请(专利权)人: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G03F9/00
代理公司: 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 代理人: 高一明;郭婷
地址: 130000 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 背照式 图像传感器 打开 方法
【权利要求书】:

1.一种背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,在光刻机对准单元上增加红外光源,利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记,进行直接对准;经过红外光源对准光刻后,利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,工艺流程包括:

S1:在光刻机对准单元上增加红外光源,并调整光路;

S2:进行深硅光刻工艺;

S3:进行深硅刻蚀工艺。

3.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S2所述深硅光刻工艺包括:涂胶、曝光和显影;在进行涂胶后的硅片上利用所述红外光源透过顶硅对准晶圆前层预留对准标记,实现对准,进行曝光,然后进行显影。

4.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S3所述深硅刻蚀工艺为Bocsh深硅刻蚀工艺。

5.如权利要求2所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,工艺流程还包括:

S4:进行介质光刻工艺;

S5:进行介质刻蚀工艺。

6.如权利要求5所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S4所述介质光刻工艺为在深硅槽中进行光刻涂胶工艺,需要在深硅槽中填充光刻胶,同时保证晶圆表面光刻胶旋涂均匀,满足后续介质刻蚀需求。

7.如权利要求5所述的背照式图像传感器焊盘打开的方法,其特征在于,步骤S5所述介质刻蚀工艺中需要管控底层焊盘技术的流水量,再将焊盘完全打开。

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