[发明专利]一种背照式图像传感器焊盘打开的方法

说明书

本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开的方法，在光刻机对准单元上增加红外光源，利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记，进行直接对准；经过红外光源对准光刻后，利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。本专利提出的方案仅需要设备改造，通过红外对准方式进行对准，节省了一道标记光刻及刻蚀的步骤，同时可以减低标记所占晶圆的有效面积。从而降低成本，提高了芯片的有效面积，还可以提升背照式加工的周期。

技术领域

本发明涉及半导体芯片加工制造领域，具体涉及一种背照式图像传感器焊盘打开的方法。

背景技术

目前图像传感器主要包括CCD以及CMOS图像传感器，相比而言CMOS图像传感器具有体积小、功耗低等优势。图像传感器基于感光方向可以分为正照式和背照式。背照式图像传感器可以大大提升量子效应，同时可以减低噪声。随着背照式等新型CMOS图像传感器技术的进步以及汽车、智能交通系统、航空航天、天文成像及生命科学等领域的推动，CMOS图像传感器正迎来新一轮的产业成长高峰。CMOS图像传感器处于3D半导体技术的最前沿，也是人工智能发展的主要推动力。鉴于背照式CMOS图像传感器的发展及市场情况，本专利发明主要是针对背照式芯片键合后焊盘打开的一种方法。

背照式图像传感器，光线从晶圆背磨感光二级光方向射入，减少金属层的遮挡，提升光电转换效率。但是当晶背超上后，由于硅的遮挡光刻机无法通过对准标记直接对准，晶圆焊盘打开将引线导出来就成为一个问题，目前有主要应用方法为增加盲开对准标记的方法先打开对准标记再进行后续焊盘打开工艺。这样会增加成本，同时浪费晶圆的有效面积。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种背照式图像传感器焊盘打开的方法，减低了标记所占晶圆的有效面积。同时降低了成本。

本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开的方法，在光刻机对准单元上增加红外光源，利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记，进行直接对准；经过红外光源对准光刻后，利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。

优选地，工艺流程包括：

S1：在光刻机对准单元上增加红外光源，并调整光路。

S2：进行深硅光刻工艺；

S3：进行深硅刻蚀工艺。

优选地，步骤S2所述深硅光刻工艺包括：涂胶、曝光和显影；在进行涂胶后的硅片上利用所述红外光源透过顶硅对准晶圆前层预留对准标记，实现对准，进行曝光，然后进行显影。

优选地，步骤S3所述深硅刻蚀工艺为Bocsh深硅刻蚀工艺。

优选地，工艺流程还包括：

S4：进行介质光刻工艺；

S5：进行介质刻蚀工艺。

优选地，步骤S4所述介质光刻工艺为在深硅槽中进行光刻涂胶工艺，需要在深硅槽中填充光刻胶，同时保证晶圆表面光刻胶旋涂均匀，满足后续介质刻蚀需求。

优选地，步骤S5所述介质刻蚀工艺中需要管控底层焊盘技术的流水量，再将焊盘完全打开。

本发明能够得到以下有益效果：

本专利提出的方案仅需要设备改造，通过红外对准方式进行对准，节省了一道标记光刻及刻蚀的步骤，同时可以减低标记所占晶圆的有效面积。从而降低成本，提高了芯片的有效面积，还可以提升背照式加工的周期。

附图说明

图1是本发明的一种背照式图像传感器焊盘打开的方法的常规工艺流程与改造后工艺流程对比图；

图2是本发明的一种背照式图像传感器焊盘打开的方法的红外光下的各种对准标记实物图；