[发明专利]一种转移装置及转移方法

权利要求书

1.一种转移装置，其特征在于，所述转移装置用于转移弱化结构芯片，所述弱化结构芯片包括：

芯片本体，所述芯片本体具有第一电极和第二电极；

与所述第一电极连接的第一导电链条，以及与所述第二电极连接的第二导电链条；

所述转移装置包括：

基底；

设置在所述基底上的多个独立的转移头；

每个所述转移头上均具有第一接触电极和第二接触电极；

与所述第一接触电极连接的第一电磁体，以及与所述第二接触电极连接的第二电磁体；

其中，在对所述弱化结构芯片进行转移时，所述第一接触电极与所述第一导电链条对位连接，所述第二接触电极与所述第二导电链条对位连接，对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压，所述第一电磁体和所述第二电磁体产生磁性，以抓取所述弱化结构芯片并转移至对接基板；

在所述弱化结构芯片与所述对接基板上的指定位置对位后，停止对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压，以将所述转移头与所述弱化结构芯片进行分离。

2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，

所述第一接触电极的形状为条状，所述条状的延伸方向垂直于所述基底所在的平面；

所述第一接触电极贯穿所述基底以及所述转移头；

所述第二接触电极的形状为条状，所述条状的延伸方向垂直于所述基底所在的平面；

所述第二接触电极贯穿所述基底以及所述转移头。

3.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述弱化结构芯片还包括：

设置在所述第一导电链条和所述芯片本体，以及设置在所述第二导电链条和所述芯片本体之间的绝缘保护层。

4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一导电链条和所述第二导电链条的材料相同。

5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述第一导电链条的材料为金属材料；

所述第二导电链条的材料为金属材料。

6.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述多个独立的转移头在所述基底上阵列排布。

7.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，在所述阵列排布的行方向上，相邻两个所述转移头之间的间距相等。

8.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，在所述阵列排布的列方向上，相邻两个所述转移头之间的间距相等。

9.根据权利要求6所述的转移装置，其特征在于，相邻两个所述转移头之间的间距为1um-500um。

10.一种转移方法，其特征在于，所述转移方法应用于权利要求1-9任一项所述的转移装置；

所述转移方法包括：

对所述转移装置的位置进行控制，以使所述第一接触电极与所述第一导电链条对位连接，所述第二接触电极与所述第二导电链条对位连接；

对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压，所述第一电磁体和所述第二电磁体产生磁性，以抓取所述弱化结构芯片并转移至对接基板；

在所述弱化结构芯片与所述对接基板上的指定位置对位后，停止对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压，以将所述转移头与所述弱化结构芯片进行分离。