[发明专利]一种转移装置及转移方法有效
申请号: | 202110171752.4 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN112992765B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 江方;吴双;冯妍雪;柯志杰;艾国齐 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 装置 方法 | ||
本发明提供了一种转移装置及转移方法,该转移装置采用磁性吸附的方式实现对弱化结构芯片的抓取,相比较粘结和静电吸附的技术手段而言,其抓取稳定性很强,进而可以在弱化结构芯片的转移过程中提高转移效率,最终提高产能。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,更具体地说,涉及一种转移装置及转移方法。
背景技术
为了实现微元件的巨量转移,目前很多厂商通过印章转移技术,将弱化结构芯片从承载基板上转移到接收基板上,一般情况下,该接收基板上有预先制备完成的电路图案。
具体的,印章转移技术的转移原理大致为:通过具有粘性的印章头,将弱化结构芯片从承载基板上吸附起来,然后印章头粘附着弱化结构芯片移动到接收基板的上方,与接收基板上的焊盘对位,随后将粘附的弱化结构芯片贴到接收基板的指定位置处,再将印章头与弱化结构芯片进行分离,完成转移。
进一步的,目前现有技术中,也有一些技术方案是利用静电吸附等方式完成巨量转移。
但是,目前的转移技术对弱化结构芯片的抓取力较弱,在转移过程中,会存在印章头和弱化结构芯片脱离的风险。
发明内容
有鉴于此,为解决上述问题,本发明提供一种转移装置及转移方法,技术方案如下:
一种转移装置,所述转移装置用于转移弱化结构芯片,所述弱化结构芯片包括:
芯片本体,所述芯片本体具有第一电极和第二电极;
与所述第一电极连接的第一导电链条,以及与所述第二电极连接的第二导电链条;
所述转移装置包括:
基底;
设置在所述基底上的多个独立的转移头;
每个所述转移头上均具有第一接触电极和第二接触电极;
与所述第一接触电极连接的第一电磁体,以及与所述第二接触电极连接的第二电磁体;
其中,在对所述弱化结构芯片进行转移时,所述第一接触电极与所述第一导电链条对位连接,所述第二接触电极与所述第二导电链条对位连接,对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压,所述第一电磁体和所述第二电磁体产生磁性,以抓取所述弱化结构芯片并转移至对接基板;
在所述弱化结构芯片与所述对接基板上的指定位置对位后,停止对所述第一接触电极和所述第二接触电极施加电压,以将所述转移头与所述弱化结构芯片进行分离。
可选的,在上述转移装置中,
所述第一接触电极的形状为条状,所述条状的延伸方向垂直于所述基底所在的平面;
所述第一接触电极贯穿所述基底以及所述转移头;
所述第二接触电极的形状为条状,所述条状的延伸方向垂直于所述基底所在的平面;
所述第二接触电极贯穿所述基底以及所述转移头。
可选的,在上述转移装置中,所述弱化结构芯片还包括:
设置在所述第一导电链条和所述芯片本体,以及设置在所述第二导电链条和所述芯片本体之间的绝缘保护层。
可选的,在上述转移装置中,所述第一导电链条和所述第二导电链条的材料相同。
可选的,在上述转移装置中,所述第一导电链条的材料为金属材料;
所述第二导电链条的材料为金属材料。
可选的,在上述转移装置中,所述多个独立的转移头在所述基底上阵列排布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照半导体科技有限公司,未经厦门乾照半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110171752.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种资源量确定方法、装置和设备
- 下一篇:掌子面地质检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造