[发明专利]通用处理套件

权利要求书

1.一种适合在半导体处理腔室中使用的内环，所述内环包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述第二表面具有部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，所述非金属导电体具有小于50Ohm-cm的电阻率，

其中所述内环具有沿所述内环的内周边设置的凹口，

其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm与2500μm之间延伸的水平分量，并且

其中所述至少一个槽在径向方向上设置在所述凹口和所述内环的外周边之间。

2.如权利要求1所述的内环，进一步包括至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫容纳在所述至少一个槽内。

3.如权利要求2所述的内环，其特征在于，所述至少一个热接触垫具有不连续的环形状。

4.如权利要求2所述的内环，其特征在于，所述至少一个热接触垫包含硅树脂材料。

5.如权利要求1所述的内环，包含硅材料。

6.如权利要求1所述的内环，包含碳化硅材料。

7.一种适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环限定径向方向并且包括：

内环，所述内环包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述第二表面具有部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，所述非金属导电体具有小于50Ohm-cm的电阻率，

其中所述内环具有沿所述内环的内周边设置的凹口，并且

其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm与2500μm之间延伸的水平分量，以及

外环，所述外环用于耦接到所述内环并环绕所述内环的外周边，所述外环包括：

支撑凸耳，所述支撑凸耳沿所述外环的内周边形成，

其中所述至少一个槽在所述径向方向上设置在所述凹口和所述支撑凸耳之间。

8.如权利要求7所述的处理套件，进一步包括容纳在所述至少一个槽内的至少一个热接触垫。

9.如权利要求8所述的处理套件，其特征在于，所述至少一个热接触垫具有不连续的环形状。

10.如权利要求8所述的处理套件，其特征在于，所述至少一个热接触垫包含硅树脂材料。

11.如权利要求8所述的处理套件，进一步包括第二热接触垫、第三热接触垫和第四热接触垫，其中每个热接触垫都被设置在形成于所述内环中的槽中。

12.如权利要求7所述的处理套件，其特征在于，所述内环包含硅材料。

13.如权利要求7所述的处理套件，其特征在于，所述内环包含碳化硅材料。

14.一种用于对基板执行半导体处理的等离子体腔室，所述等离子体腔室包括：

基板支撑组件；和

内环，所述内环设置成邻近所述基板支撑组件并且包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述第二表面具有部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，所述非金属导电体具有小于50Ohm-cm的电阻率；

其中所述内环具有沿所述内环的内周边设置的凹口，

其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm与2500μm之间延伸的水平分量，并且

其中所述至少一个槽在径向方向上设置在所述凹口和所述内环的外周边之间。

15.如权利要求14所述的等离子体腔室，进一步包括容纳在所述至少一个槽内的至少一个热接触垫。