[发明专利]气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法在审
申请号: | 202110172337.0 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN113913784A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 李政勳;黄茂洲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/503;C23C16/505 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 元件 传送 导管 系统 方法 | ||
一种气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法,气体幕帘元件包含一导管衬套和一导管接头。导管衬套包含通过导管衬套的一螺旋形通风口。导管接头围绕导管衬套的一部分,导管接头包含与导管衬套的螺旋形通风口呈流体连通的多个气体进入端口。用于从气体容纳腔室,其用于处理形成半导体元件的基材,传送气体的导管系统,包含具有螺旋形通风口的衬套。导管系统利用气体的幕帘以防止或减少材料至(从气体容纳腔室传送气体的)导管的内部表面上的沉积。
技术领域
本揭露是关于一种半导体制造设备与制造半导体的方法,尤其是关于气体幕帘元件、传送气体的导管系统与传送气体的方法。
背景技术
半导体元件产制为一种用于创造日常电性及电子元件中存在的集成电路的制程。产制制程为光微影及化学处理步骤的多个步骤序列,在处理步骤期间在由半导体材料组成的晶圆上逐渐制造电子电路。
各种处理步骤分为数个类别,包含沉积、去除、图案化及电性性质的改变(即,掺杂)。化学气相沉积(Chemical vapor deposition;CVD)为广泛地用于进行沉积处理步骤的数个制程中的一个制程。通常,化学气相沉积制程涉及将晶圆或基材暴露至通常以气体形式的的一种或更多种挥发性前驱物中,此前驱物在晶圆表面上反应及/或分解以产生沉积层。通常化学气相沉积制程用于半导体产制中以形成多晶硅、二氧化硅及氮化硅的层。
发明内容
气体幕帘元件包含导管衬套与导管接头。导管衬套位于气体导管中,并包含通过导管衬套的螺旋形通风口。导管接头包含多个气体进入端口,导管接头围绕导管衬套的一部分。气体进入端口与导管衬套的螺旋形通风口呈流体连通。
传送气体的方法包含:使来自处理半导体工作件的气体容纳腔室的废气流动通过废气导管。使冲排气体或气幕流动至废气导管接头的多个气体进入端口的其中一个气体进入端口中,气体进入端口与导管衬套的螺旋形通风口呈流体连通。使冲排气体流动通过位于废气导管中的废气导管衬套中的螺旋形通风口。流动通过螺旋形通风口的冲排气体创造毗邻废气导管衬套的内部表面的冲排气体的幕帘。
用于传送一气体的导管系统包含导管、包含螺旋形通风口的导管衬套、围绕导管衬套的一部分及围绕导管的一部分的导管接头与密封件。导管接头包含与螺旋形通风口呈流体连通的气体进入端口并将冲排气体输送至导管的内部。在导管与导管接头间提供密封件以防止气体泄漏。
附图说明
当与随附图示一起阅读时,可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此产业中的标准实务,各种特征并未按比例绘制。实际上,为论述的清楚性,可任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1为与本揭露内容的实施例一起使用,用于使用气体电浆处理基材的腔室的示意性截面视图;
图2为根据本揭露内容的实施例,用于从半导体处理腔室去除排气的工具废气导管系统的示意图;
图3A为根据本文中所描述的一个实施例,用于传送气体的导管系统的分解视图;
图3B为根据图3A中所例示的本文中所描述的一个实施例,用于传送气体的导管系统的组装视图;
图4为根据本揭露内容的实施例,导管系统的导管衬套的侧面立体视图;
图5为根据本揭露内容的实施例,导管系统的导管衬套的侧面立体视图;
图6为根据本揭露内容的实施例,用于传送气体的导管系统的侧面截面视图;
图7为根据本揭露内容的实施例,用于传送气体的方法的流程图。
【符号说明】
D1:直径
D2:外径
D3:外径
D4:内径
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的