[发明专利]微型发光二极管的转移方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管的转移方法，其特征在于：包含：

步骤(a)，于晶圆上形成多个彼此成一间隙并成阵列排列的微型发光二极管芯片，其中，该间隙介于0.1mm至1mm，且每一个微型发光二极管芯片具有形成于顶面的电极单元；

步骤(b)，将所述微型发光二极管芯片以所述电极单元结合于暂时承载基板，并将该晶圆移除；

步骤(c)，于所述微型发光二极管芯片的间隙填置不透光材料，并将其固化后形成遮光层；

步骤(d)，形成覆盖所述微型发光二极管芯片及该遮光层的可透光的封装层，而得到多个可发出不同色光的微型发光二极管，其中，每一个微型发光二极管包含一个微型发光二极管芯片及对应覆盖其上的封装层，定义出多个画素，且每一个画素具有至少两个可发出不同色光的微型发光二极管；

步骤(e)，将该暂时承载基板移除，令所述微型发光二极管芯片的电极单元露出得到待转移半成品；及

步骤(f)，将该待转移半成品以所述画素为切割单位进行切割，得到多个可供移转的画素。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：还包含步骤(g)，将切割后的所述画素与具有驱动电路的永久基板电连接。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(f)是以干蚀刻、湿蚀刻，及光蚀刻的至少一种进行切割。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(f)是以湿蚀刻及光蚀刻进行切割。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(c)中，还令该遮光层与所述微型发光二极管芯片共同界定多个容置空间，该步骤(d)是先于所述容置空间填置含有波长转换量子点的量子点溶液，而于每一个微型发光二极管芯片上对应形成光转换膜，再形成覆盖所述光转换膜及所述遮光层的封胶膜，而得到该封装层。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(d)是以喷涂方式填置该含有波长转换量子点的量子点溶液。

7.根据权利要求5所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(a)的所述微型发光二极管芯片为发出相同色光。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移方法，其特征在于：该步骤(a)的所述微型发光二极管芯片为发出不同色光。