[发明专利]微型发光二极管的转移方法

说明书

一种微型发光二极管的转移方法，利用将于晶圆制得的微型发光二极管芯片封装后，将所述封装后可发出不同光色的微型发光二极管以定义好的画素为切割单位进行切割，且每一个画素至少包含两个可发出不同光色的微型发光二极管，而得到多个可供移转的画素，因此，可以画素为单元进行移转而可减少以单颗微型发光二极管进行基板转移的时间。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管的转移方法，特别是涉及一种微型发光二极管的转移方法。

背景技术

随着显示、照明的需求及应用领域不断的扩展，对发光二极管(LED)的需求及相关性能的要求也越来越高。其中，微型发光二极管是将传统LED尺寸微缩至100微米以下，具有自发光、低功耗、高亮度、寿命长等良好的光电特性，近年来随着发光二极管的应用领域越来越广泛，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)更是业界亟欲发展的重点。

目前要将制得的微型发光二极管转移到永久基板是采用搬运式作法，亦即是利用将单颗的微型发光二极管从晶圆搬移到永久基板(例如显示面板)上。然而此巨量转移的过程极为耗时，因此，如何解决微型发光二极管巨量转移的耗时问题，则是相关技术业者努力解决的方向之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微型发光二极管的转移方法。

本发明微型发光二极管的转移方法，包含以下步骤。

步骤(a)，于晶圆上形成多个彼此成一间隙并成阵列排列的微型发光二极管芯片，其中，该间隙介于0.1mm至1mm，且每一个微型发光二极管芯片具有形成于顶面的电极单元。

步骤(b)，将所述微型发光二极管芯片以所述电极单元结合于暂时承载基板，并将该晶圆移除。

步骤(c)，于所述微型发光二极管芯片的间隙填置不透光材料，并将其固化后形成遮光层。

步骤(d)，形成覆盖所述微型发光二极管芯片及所述遮光层的可透光的封装层，而得到多个可发出不同色光的微型发光二极管，其中，每一个微型发光二极管包含一个微型发光二极管芯片及对应覆盖其上的封装层，定义多个画素，且每一个画素具有至少两个可发出不同色光的微型发光二极管。

步骤(e)，将该暂时承载基板移除，令所述微型发光二极管芯片的电极单元露出得到待转移半成品。

步骤(f)，将该待转移半成品以所述画素为切割单位进行切割，得到多个可供移转的画素。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，还包含步骤(g)，将切割后的所述画素与具有驱动电路的永久基板电连接。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(f)是以干蚀刻、湿蚀刻，及光蚀刻的至少一种进行切割。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(f)是以湿蚀刻及光蚀刻进行切割。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(c)中，还令该遮光层与所述微型发光二极管芯片共同界定多个容置空间，该步骤(d)是先于所述容置空间填置含有波长转换量子点的量子点溶液，而于每一个微型发光二极管芯片上对应形成光转换膜，再形成覆盖所述光转换膜及所述遮光层的封胶膜，而得到该封装层。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(d)是以喷涂方式填置该含有波长转换量子点的量子点溶液。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(a)的所述微型发光二极管芯片为发出相同色光。

优选地，本发明微型发光二极管的转移方法，其中，该步骤(a)的所述微型发光二极管芯片为发出不同色光。