[发明专利]半导体封装装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110175369.6 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112992875A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 凃顺财 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/56;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装装置，包括第一重布线层、第一芯片和第二芯片：
所述第一重布线层具有第一导电柱；
所述第一芯片位于所述第一重布线层上并与所述第一导电柱电连接，其中，所述第一芯片与所述第一导电柱的接合处形成接合层；
所述第二芯片位于所述第一芯片的表面。
2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述接合层到所述第一芯片的距离小于所述接合层到所述第一重布线层的距离。
3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第二芯片位于所述第一芯片的朝向所述第一重布线层的表面。
4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第二芯片与所述第一芯片之间通过混合键合方式连接。
5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括第二重布线层，所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接，所述第一芯片位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间。
6.根据权利要求5所述的半导体封装装置，其中，所述第一重布线层还具有第二导电柱，所述第二导电柱的长度大于所述第一导电柱的长度，所述第二重布线层与所述第二导电柱连接。
7.根据权利要求6所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电柱和所述第二导电柱形成于所述第一重布线层的同一表面。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一芯片和所述第一重布线层之间设置有底部填充材料。
9.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一芯片为功能芯片，所述第二芯片为滤波芯片。
10.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一重布线层的表面具有导电衬垫，所述第一导电柱形成于所述导电衬垫处。
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