[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括第一重布线层、第一芯片和第二芯片：第一重布线层具有第一导电柱；第一芯片位于第一重布线层上并与第一导电柱电连接，其中，第一芯片与第一导电柱的接合处形成接合层；第二芯片位于第一芯片的表面。该半导体封装装置避免了第一芯片和第二芯片的表面无法完整对接或芯片表面的导电元件失效等问题，有效提高了产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体封装装置技术领域，具体涉及半导体封装装置及其制造方法。

背景技术

FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。它可提供的解决方案成本较低，实践中比硅中介层结构具有更好的电气和热性能。

在一种FOCoS封装结构中，需要在功能芯片上额外连接滤波芯片。由于滤波芯片需为功能芯片提供高滤波效能，如果以焊接方式连接，会影响滤波芯片和功能芯片之间的导电性。因此，需要采用混合键合将滤波芯片和功能芯片连接。但是，在混合键合方式中，容易出现两芯片表面无法完整对接或芯片表面的导电元件失效等问题。

发明内容

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体封装装置，包括第一重布线层、第一芯片和第二芯片：

所述第一重布线层具有第一导电柱；

所述第一芯片位于所述第一重布线层上并与所述第一导电柱电连接，其中，所述第一芯片与所述第一导电柱的接合处形成接合层；

所述第二芯片位于所述第一芯片的表面。

在一些可选的实施方式中，所述接合层到所述第一芯片的距离小于所述接合层到所述第一重布线层的距离。

在一些可选的实施方式中，所述接合层包括焊料。

在一些可选的实施方式中，所述第二芯片位于所述第一芯片的朝向所述第一重布线层的表面。

在一些可选的实施方式中，所述第二芯片与所述第一芯片之间通过混合键合方式连接。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括第二重布线层，所述第二重布线层与所述第一重布线层电连接，所述第一芯片位于所述第一重布线层和所述第二重布线层之间。

在一些可选的实施方式中，所述第一重布线层还具有第二导电柱，所述第二导电柱的长度大于所述第一导电柱的长度，所述第二重布线层与所述第二导电柱连接。

在一些可选的实施方式中，所述第一导电柱和所述第二导电柱形成于所述第一重布线层的同一表面。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第二芯片的周围设置有封装材。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片和所述第一重布线层之间设置有底部填充材料。

在一些可选的实施方式中，所述第一芯片为功能芯片，所述第二芯片为滤波芯片。

在一些可选的实施方式中，所述半导体封装装置还包括第三芯片，所述第三芯片位于所述第一重布线层的背离所述第一芯片的表面或者位于所述第二重布线层的背离所述第一芯片的表面。

在一些可选的实施方式中，所述第三芯片与所述第一重布线层或所述第二重布线的连接方式为焊接或者线连接。

在一些可选的实施方式中，所述第三芯片的周围设置有封装材。

在一些可选的实施方式中，所述第一重布线层的表面具有导电衬垫，所述第一导电柱形成于所述导电衬垫处。

第二方面，本公开提供了一种制造半导体封装装置的方法，包括：