[发明专利]具静电放电防护功能的半导体装置及静电放电的测试方法有效
申请号: | 202110175848.8 | 申请日: | 2018-03-01 |
公开(公告)号: | CN112992868B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 姜钧;曾颖伟;张秉真;唐天浩 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/00;H01L23/10;H01L23/58;H01L27/02;G01R31/00;G01R31/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 防护 功能 半导体 装置 测试 方法 | ||
1.一种具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,包含:
集成电路,设置在元件基底上,该集成电路具有核心区域以及周边区域;
密封环,设置在该元件基底上,以环绕该集成电路;以及
导电层,设置于该集成电路的顶面且至少覆盖该核心区域,其中,该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠。
2.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该密封环以及该导电层均接地。
3.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,还包含:
切割区域,环绕该集成电路以及该密封环,使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。
4.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该核心区域包含高频区域。
5.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该周边区域被暴露于该导电层外。
6.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该周边区域同样被该导电层覆盖。
7.一种静电放电的测试方法,其特征在于,包含:
提供集成电路,该集成电路设置在元件基底上的,并具有被密封环环绕的核心区域以及周边区域;
在该集成电路的顶面上形成导电层,至少覆盖该核心区域,该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠;以及
提供静电放电电流至该密封环以进行静电放电防护测试。
8.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,该密封环以及该导电层均接地。
9.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,另包含:
切割区域,环绕该集成电路以及该密封环,使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。
10.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,该核心区域包含高频区域。
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