[发明专利]具静电放电防护功能的半导体装置及静电放电的测试方法有效

专利信息
申请号: 202110175848.8 申请日: 2018-03-01
公开(公告)号: CN112992868B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 姜钧;曾颖伟;张秉真;唐天浩 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L23/60 分类号: H01L23/60;H01L23/00;H01L23/10;H01L23/58;H01L27/02;G01R31/00;G01R31/28
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 静电 放电 防护 功能 半导体 装置 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,包含:

集成电路,设置在元件基底上,该集成电路具有核心区域以及周边区域;

密封环,设置在该元件基底上,以环绕该集成电路;以及

导电层,设置于该集成电路的顶面且至少覆盖该核心区域,其中,该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠。

2.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该密封环以及该导电层均接地。

3.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,还包含:

切割区域,环绕该集成电路以及该密封环,使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。

4.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该核心区域包含高频区域。

5.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该周边区域被暴露于该导电层外。

6.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置,其特征在于,该周边区域同样被该导电层覆盖。

7.一种静电放电的测试方法,其特征在于,包含:

提供集成电路,该集成电路设置在元件基底上的,并具有被密封环环绕的核心区域以及周边区域;

在该集成电路的顶面上形成导电层,至少覆盖该核心区域,该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠;以及

提供静电放电电流至该密封环以进行静电放电防护测试。

8.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,该密封环以及该导电层均接地。

9.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,另包含:

切割区域,环绕该集成电路以及该密封环,使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。

10.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法,其特征在于,该核心区域包含高频区域。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110175848.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top