[发明专利]具静电放电防护功能的半导体装置及静电放电的测试方法有效
| 申请号： | 202110175848.8 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN112992868B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 姜钧;曾颖伟;张秉真;唐天浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L23/00;H01L23/10;H01L23/58;H01L27/02;G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 功能 半导体 装置 测试 方法 | ||
1.一种具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，包含：
集成电路，设置在元件基底上，该集成电路具有核心区域以及周边区域；
密封环，设置在该元件基底上，以环绕该集成电路；以及
导电层，设置于该集成电路的顶面且至少覆盖该核心区域，其中，该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠。
2.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，该密封环以及该导电层均接地。
3.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，还包含：
切割区域，环绕该集成电路以及该密封环，使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。
4.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，该核心区域包含高频区域。
5.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，该周边区域被暴露于该导电层外。
6.依据权利要求1所述的具有静电放电防护功能的半导体装置，其特征在于，该周边区域同样被该导电层覆盖。
7.一种静电放电的测试方法，其特征在于，包含：
提供集成电路，该集成电路设置在元件基底上的，并具有被密封环环绕的核心区域以及周边区域；
在该集成电路的顶面上形成导电层，至少覆盖该核心区域，该导电层通过金属线电连接该密封环但未与该密封环交叠；以及
提供静电放电电流至该密封环以进行静电放电防护测试。
8.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法，其特征在于，该密封环以及该导电层均接地。
9.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法，其特征在于，另包含：
切割区域，环绕该集成电路以及该密封环，使得该密封环位于该集成电路与该切割区域之间。
10.依据权利要求7所述的静电放电的测试方法，其特征在于，该核心区域包含高频区域。
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