[发明专利]一种射频功率放大器及电子设备在审
| 申请号： | 202110176191.7 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114915270A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘苗;彭波华;胡念楚;贾斌 | 申请（专利权）人： | 开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/19 | 分类号： | H03F3/19;H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 361026 福建省厦门市海沧区中国（福建）自由贸易*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 电子设备 | ||
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括：
晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离。
2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述晶体管为异质结双极晶体管或者双极结型晶体管或者场效应晶体管。
3.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述晶体管的安装方式为正面朝上安装或者正面朝下安装，其中，所述晶体管的正面为发射极所在的表面。
4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述晶体管的数量为多个，且呈阵列式分布。
5.如权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述异质结双极晶体管为下述任一种晶体管：
砷化镓异质结双极晶体管、锗化硅异质结双极晶体管、氮化镓异质结双极晶体管、赝配高电子迁移率晶体管。
6.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述基板为下述任一种：
有机基板、高温共烧陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板。
7.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述基板的层数为4层、6层或者8层。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至7任一项所述的射频功率放大器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司，未经开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110176191.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：贴片式检测装置
- 下一篇：薯蓣皂素合成菌株构建及应用
