[发明专利]一种射频功率放大器及电子设备

说明书

本申请公开了一种射频功率放大器，包括：晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离。本申请中，晶体管位于除去最顶层之外的其他任意相邻两层基板之间，并且晶体管的衬底厚度小于等于该相邻两层基板间的间距，因此，晶体管上的发射极到地的电长度减小，所以接地电感减小，并且，由于晶体管不位于最顶层，散热通路变短，所以散热通路热阻减小，散热效果提升，射频功率放大器的性能增强。此外，本申请还提供一种具有上述优点的电子设备。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种射频功率放大器及电子设备。

背景技术

射频功率放大器(Radio Frequency Power Amplifier，简称RF PA)是发射系统中的主要组成部分，对输入的信号进行放大并输出。现有的射频功率放大器的结构示意图如图1所示，包括多层基板和晶体管1，相邻两层的基板之间有通孔3，晶体管1位于最顶层的基板的上表面。晶体管1的发射极11到地的电长度为晶体管1的基底与多层基板的厚度，电长度较大，导致RF PA的接地电感较大，对接地敏感，当接地越差，RF PA的电流越低，并且，由于晶体管1位于最顶层的基板的上表面，晶体管1的发射极11的散热通路从最顶层通过通孔3到最底层的基板，散热效果差，严重影响RF PA的性能。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种射频功率放大器及电子设备，以减小射频功率放大器的接地电感和散热通路热阻，提升射频功率放大器的性能。

为解决上述技术问题，本申请提供一种射频功率放大器，包括：

晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离。

可选的，射频功率放大器中，所述晶体管为异质结双极晶体管或者双极结型晶体管或者场效应晶体管。

可选的，射频功率放大器中，所述晶体管的安装方式为正面朝上安装或者正面朝下安装，其中，所述晶体管的正面为发射极所在的表面。

可选的，射频功率放大器中，所述晶体管的数量为多个，且呈阵列式分布。

可选的，射频功率放大器中，所述异质结双极晶体管为下述任一种晶体管：

砷化镓异质结双极晶体管、锗化硅异质结双极晶体管、氮化镓异质结双极晶体管、赝配高电子迁移率晶体管。

可选的，射频功率放大器中，所述基板为下述任一种：

有机基板、高温共烧陶瓷基板、低温共烧陶瓷基板。

可选的，射频功率放大器中，所述基板的层数为4层、6层或者8层。

本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述任一种述的射频功率放大器。

本申请所提供的射频功率放大器，包括：晶体管和由下至上依次层叠的多层基板，相邻两层所述基板之间分布有通孔，所述晶体管位于除最顶层所述基板之外的任意相邻两层所述基板之间，且所述晶体管的衬底厚度小于等于所述晶体管所在的相邻两层所述基板之间的距离。

可见，本申请的射频功率放大器中包括晶体管和层叠的多层基板，晶体管位于除去最顶层之外的其他任意相邻两层基板之间，并且晶体管的衬底厚度小于等于该相邻两层基板间的间距，也即晶体管的一个表面与该相邻两层基板中的一层基板处于同一表面，因此，晶体管上的发射极到地的电长度减小，所以接地电感减小，并且，由于晶体管不位于最顶层，散热通路变短，所以散热通路热阻减小，散热效果提升，射频功率放大器的性能增强。