[发明专利]承载装置和半导体工艺设备在审
申请号: | 202110176702.5 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112563184A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京中硅泰克精密技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京市北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 半导体 工艺设备 | ||
1.一种用于半导体工艺设备的承载装置,其特征在于,所述承载装置包括第一承载台和环绕所述第一承载台设置的第二承载台,所述第一承载台具有第一承载面,所述第二承载台具有第二承载面,且所述第一承载面与所述第二承载面共同形成所述承载装置用于承载待加工工件的承载面,所述承载装置还包括位置调节组件,所述位置调节组件能够驱动所述第一承载台和所述第二承载台中的至少一者沿所述承载装置的轴向运动,以调节所述第一承载面与所述第二承载面在所述承载装置的轴向上的相对位置。
2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述位置调节组件包括驱动机构和固定结构,所述固定结构用于将所述第一承载台与所述第二承载台中的一者固定在所述半导体工艺设备的工艺腔室中,所述驱动机构能够驱动所述第一承载台与所述第二承载台中的另一者沿垂直于所述承载面方向运动。
3.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述承载装置还包括内冷却组件和外冷却组件,所述内冷却组件设置在所述第一承载台的底面上,用于冷却所述第一承载台,所述外冷却组件设置在所述第二承载台的底面上,用于冷却所述第二承载台。
4.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述第一承载台中设置有内圈电极,所述第二承载台中设置有外圈电极。
5.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述内圈电极在所述第一承载台的第一承载面上的投影面积与所述外圈电极在所述第二承载台的第二承载面上的投影面积相等。
6.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述第一承载台和所述第二承载台的材质均为陶瓷材料。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的承载装置,其特征在于,所述第二承载台包括多个环绕所述第一承载台设置的子承载台,每个所述子承载台具有子承载面,多个所述子承载台的子承载面组成所述第二承载台的第二承载面。
8.一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在所述工艺腔室中的承载装置,其特征在于,所述承载装置为权利要求1至7中任意一项所述的承载装置。
9.根据权利要求8所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备还包括控制装置,所述控制装置用于在所述第一承载台的第一承载面和所述第二承载台的第二承载面中的一者未接触所述承载装置上承载的晶片时,控制所述位置调节组件调节所述第一承载台与所述第二承载台之间的相对位置,并在所述第一承载台的第一承载面和所述第二承载台的第二承载面均与所述晶片接触后,控制所述位置调节组件使所述第一承载台的第一承载面与所述第二承载台的第二承载面平齐。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备,其特征在于,所述位置调节组件包括驱动机构和固定结构,所述固定结构用于将所述第二承载台固定在所述工艺腔室中,所述驱动机构能够驱动所述第一承载台沿垂直于所述承载面方向运动;
所述控制装置用于在所述第一承载台的第一承载面和所述第二承载台的第二承载面中的一者未接触所述承载装置上承载的晶片时,控制所述驱动机构驱动所述第一承载台运动,并在所述第一承载台的第一承载面和所述第二承载台的第二承载面均与所述晶片接触后,控制所述驱动机构驱动所述第一承载台运动至所述第一承载台的第一承载面与所述第二承载台的第二承载面平齐。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中硅泰克精密技术有限公司,未经北京中硅泰克精密技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110176702.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造