[发明专利]承载装置和半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种用于半导体工艺设备的承载装置，包括第一承载台和环绕第一承载台设置的第二承载台，第一承载台具有第一承载面，第二承载台具有第二承载面，且第一承载面与第二承载面共同形成承载装置用于承载待加工工件的承载面，承载装置还包括位置调节组件，位置调节组件能够驱动第一承载台和第二承载台中的至少一者沿承载装置的轴向运动，以调节第一承载面与第二承载面在承载装置的轴向上的相对位置。本发明提供的承载装置能够通过调节第一承载台与第二承载台之间的相对高度实现吸附发生翘曲的晶片，还能够用于将翘曲的晶片拉平，从而提高了对发生翘曲的晶片的利用率，进而提高了半导体工艺的产能。本发明还提供一种半导体工艺设备。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种用于半导体工艺设备的承载装置和一种半导体工艺设备。

背景技术

等离子体设备广泛用于半导体、太阳能电池、平板显示等设备制作领域，在目前的等离子体设备中，通常使用静电卡盘（Electrostatic Chuck，ESC）替代原有的机械卡盘来实现工艺过程中对晶片（wafer）的夹持。静电卡盘具有高wafer（晶片）利用率、不易产生颗粒、边缘刻蚀及沉积速率更加均匀等特点，因而被广泛应用于集成电路（IC）制造设备中（如，等离子刻蚀（ETCH）设备、物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备等），以避免集成电路制造设备中的晶片在工艺过程中出现移动或错位，并为晶片提供射频偏压以及控制晶片表面的温度。

同一片晶片在进行半导体工艺的过程中通常会经历数十道乃至上百道工艺制程，晶片在经过多道不同工艺半导体制程后，表面逐步沉积多种不同材质材料，其材料内应力积聚常会导致晶片出现翘曲。通常情况下，晶片会在一定时间内逐渐被静电卡盘吸附，逐步发生形变、被拉平至完全平整，并贴附在静电卡盘表面。然而，随着半导体工艺的进行，材料内应力越来越大，晶片的翘曲量可以逐步增加至1mm~2mm范围甚至更大，现有的静电卡盘难以通过静电吸附力将晶片拉平。因此，如何提供一种能够吸附高翘曲量晶片的静电卡盘，成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明旨在提供一种用于半导体工艺设备的承载装置和一种半导体工艺设备，该承载装置能够吸附发生翘曲的晶片。

作为本发明的一个方面，提供一种用于半导体工艺设备的承载装置，所述承载装置包括第一承载台和环绕所述第一承载台设置的第二承载台，所述第一承载台具有第一承载面，所述第二承载台具有第二承载面，且所述第一承载面与所述第二承载面共同形成所述承载装置用于承载待加工工件的承载面，所述承载装置还包括位置调节组件，所述位置调节组件能够驱动所述第一承载台和所述第二承载台中的至少一者沿所述承载装置的轴向运动，以调节所述第一承载面与所述第二承载面在所述承载装置的轴向上的相对位置。

可选地，所述位置调节组件包括驱动机构和固定结构，所述固定结构用于将所述第一承载台与所述第二承载台中的一者固定在所述半导体工艺设备的工艺腔室中，所述驱动机构能够驱动所述第一承载台与所述第二承载台中的另一者沿垂直于所述承载面方向运动。

可选地，所述承载装置还包括内冷却组件和外冷却组件，所述内冷却组件设置在所述第一承载台的底面上，用于冷却所述第一承载台，所述外冷却组件设置在所述第二承载台的底面上，用于冷却所述第二承载台。

可选地，所述第一承载台中设置有内圈电极，所述第二承载台中设置有外圈电极。

可选地，所述内圈电极在所述第一承载台的第一承载面上的投影面积与所述外圈电极在所述第二承载台的第二承载面上的投影面积相等。

可选地，所述第一承载台和所述第二承载台的材质均为陶瓷材料。

可选地，所述第二承载台包括多个环绕所述第一承载台设置的子承载台，每个所述子承载台具有子承载面，多个所述子承载台的子承载面组成所述第二承载台的第二承载面。