[发明专利]基板处理装置和载置台在审
申请号: | 202110176707.8 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113299579A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 远藤宏纪;山田和人;高桥雅典 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 载置台 | ||
本发明提供一种基板处理装置和载置台,使基板处理装置小型化。使用等离子体来处理基板的基板处理装置具备收容基板的腔室、以及配置于腔室内的用于载置基板的载置台。载置台具有基台、基板保持部、多个加热器、加热器控制部以及RF滤波器。基台由导体形成,RF电力在基台中流过。基板保持部设置于基台上,用于保持基板。多个加热器设置于基板保持部。加热器控制部设置于基台的内部,用于控制供给到多个加热器的各加热器的电力。RF滤波器设置于基台的外部,与用于将电力供给到各加热器的布线连接。另外,针对多个加热器共通地设置有一个RF滤波器。
技术领域
本公开的各种侧面和实施方式涉及一种基板处理装置和载置台。
背景技术
已知一种设置有多个加热器并能够对载置半导体晶圆(下面,记为基板)的载置台的多个区域独立地进行温度调整的基板处理装置(例如参照专利文献1)。在使用了这样的基板处理装置的半导体的制造工艺中,能够通过高精度地调整基板的温度,来使基板的处理的均匀性提高。
专利文献1:日本特开2017-228230号公报
发明内容
本公开提供一种能够使基板处理装置小型化的基板处理装置和载置台。
本公开的一个侧面是使用等离子体来处理基板的基板处理装置,该基板处理装置具备收容基板的腔室、以及配置于腔室内的用于载置基板的载置台。载置台具有基台、基板保持部、多个加热器、加热器控制部以及RF滤波器。基台由导体形成,RF(Radio Frequency:射频)电力在基台中流过。基板保持部设置于基台上,用于保持基板。多个加热器设置于基板保持部。加热器控制部设置于基台的内部,用于控制供给到多个加热器的各加热器的电力。RF滤波器设置于基台的外部,与用于将电力供给到各加热器的布线连接。另外,针对多个加热器共通地设置有一个RF滤波器。
根据本公开的各种侧面和实施方式,能够使基板处理装置小型化。
附图说明
图1是示出本公开的第一实施方式中的基板处理装置的结构的一例的概要截面图。
图2是示出静电吸盘的上表面的一例的图。
图3是示出载置台的详细构造的一例的放大截面图。
图4是示出第一实施方式中的控制基板的功能结构的一例的框图。
图5是示出测定部的一例的电路图。
图6是用于说明基板的表面的温度与电阻器的温度之间的温度差的图。
图7是示出第一校正值表的一例的图。
图8是示出第二校正值表的一例的图。
图9是示出制作校正值表时的基板处理装置的结构的一例的概要截面图。
图10是示出制作校正值表时的基板处理装置的处理的一例的流程图。
图11是示出第一实施方式中的温度控制的一例的流程图。
图12是示出第二实施方式中的控制基板的功能结构的一例的框图。
图13是示出变换表的一例的图。
图14是示出变换表的制作方法的一例的流程图。
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