[发明专利]一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高容量电容结构的阵列基板，其特征在于，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；

所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有第一透明导电层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二透明导电层上开设有第一过孔，所述源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二钝化层；

所述第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同；

所述第二电极层的材质与有源层的材质相同；

所述第三电极层的材质与第二透明导电层的材质相同。

2.根据权利要求1所述的具有高容量电容结构的阵列基板，其特征在于，所述有源层与第二透明导电层之间还设有第二蚀刻阻挡层，所述第二蚀刻阻挡层分别与有源层、第二透明导电层和第二钝化层接触。

3.根据权利要求1所述的具有高容量电容结构的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为

4.根据权利要求1所述的具有高容量电容结构的阵列基板，其特征在于，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。

5.根据权利要求1所述的具有高容量电容结构的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的竖直截面形状为方形。

6.一种权利要求1所述的具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面覆盖有缓冲层；在所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域形成至少一个的凹槽；

S2、形成第一电极层和第一透明导电层，所述第一电极层填充于凹槽内，所述第一透明导电层覆盖于缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上；

S3、形成栅极金属层，所述栅极金属层覆盖于第一透明导电层表面；

S4、形成第一绝缘层和栅极绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于第一电极层表面，所述栅极绝缘层覆盖于栅极金属层表面；

S5、形成第二电极层和有源层，所述第二电极层覆盖于第一绝缘层表面，所述有源层覆盖于栅极绝缘层表面；

S6、形成第一蚀刻阻挡层，所述第一蚀刻阻挡层覆盖于第二电极层表面；

S7、形成第三电极层和第二透明导电层，所述第三电极层覆盖于第一蚀刻阻挡层表面，所述第二透明导电层覆盖于有源层表面；在所述第二透明导电层中形成第一过孔；

S8、形成源漏极金属层，所述源漏极金属层覆盖于第二蚀刻阻挡层表面；在源漏极金属层中形成第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通；

S9、形成第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层覆盖于第三电极层表面，所述第二钝化层覆盖于源漏极金属层表面，且所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二钝化层。

7.根据权利要求6所述的具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，其特征在于，步骤S6还包括以下步骤：

形成第二蚀刻阻挡层，且覆盖于有源层表面，所述第二蚀刻阻挡层分别与有源层、第二透明导电层和第二钝化层接触。

8.根据权利要求6所述的具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一电极层的材质为氧化铟锡，所述第一电极层的厚度范围为

9.根据权利要求6所述的具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凹槽中的第一电极层与玻璃基板接触。

10.根据权利要求6所述的具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凹槽的竖直截面形状为方形。