[发明专利]一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法

说明书

本发明涉及阵列基板技术领域，特别涉及一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，凹槽中填充有第一电极层，第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层，第一电极层、第一绝缘层和第二电极层构成一个电容，第二电极层、第一蚀刻阻挡层和第三电极层构成一个电容，以形成两个并联的电容，从而进一步增大了电容容量，同时也能减小电容的占用面积，具有提高面板PPI、缩小面板边框尺寸的优势。

技术领域

本发明涉及阵列基板技术领域，特别涉及一种具有高容量电容结构的阵列基板及其制备方法。

背景技术

随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高TFT(英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

氧化物半导体迁移率(10-30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的Ioff，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZO TFT驱动电路的高分辨率OLED显示器市场前景很好，为目前国内外主要面板制造厂研发热点。

GOA技术(GOA：Gate Driver IC on Array)是近年面板发展的一种新类型，其把驱动Gate信号的IC直接刻蚀在面板上，省去了Gate Driver IC的成本和把IC绑定在面板上的工序，更重要的是由于Gate Driver IC与显示面板为一个整体，使得产品更薄、分辨率更高、稳定性和抗振性更好。目前，GOA技术已经成为移动终端业的主流，智能手机几乎都使用这种液晶面板。

在阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量电容，这就造成驱动电路的占用面积较大无法进一步缩小显示面板边框尺寸，以及画素大小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种具有高容量电容结构的阵列基板。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种具有高容量电容结构的阵列基板，包括玻璃基板和设置在玻璃基板一侧面的缓冲层，所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的电容区域开设有至少一个的凹槽，所述凹槽中填充有第一电极层，所述第一电极层远离缓冲层的一侧面上依次层叠覆盖有第一绝缘层、第二电极层、第一蚀刻阻挡层、第三电极层和第一钝化层；

所述缓冲层远离玻璃基板的一侧面的TFT区域上依次层叠覆盖有第一透明导电层、栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、第二透明导电层、源漏极金属层和第二钝化层，所述第二透明导电层上开设有第一过孔，所述源漏极金属层上开设有第二过孔，所述第二过孔与第一过孔相对设置且相通，所述第一过孔和第二过孔中均填充有第二钝化层；

所述第一电极层的材质与第一透明导电层的材质相同；

所述第二电极层的材质与有源层的材质相同；

所述第三电极层的材质与第二透明导电层的材质相同。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种具有高容量电容结构的阵列基板的制备方法，包括以下步骤：