[发明专利]存储器件和方法

权利要求书

1.一种形成存储器件的方法，包括：

在多层堆叠中蚀刻第一沟槽，所述多层堆叠包括交替的介电层和牺牲层；

用第一导电部件替换由所述第一沟槽暴露的所述牺牲层的第一部分；

在所述第一沟槽中形成第一数据存储带和第一半导体带；

在形成所述第一数据存储带和所述第一半导体带之后，在所述多层堆叠中刻蚀第二沟槽；

用第二导电部件替换由所述第二沟槽暴露的所述牺牲层的第二部分；以及

在所述第二沟槽中形成第二数据存储带和第二半导体带。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一沟槽中沉积第一介电层，所述第一半导体带设置在所述第一介电层与所述第一数据存储带之间；以及

在所述第二沟槽中沉积第二介电层，所述第二半导体带设置在所述第二介电层与所述第二数据存储带之间。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

形成第一介电插塞和第二介电插塞，所述第一介电插塞延伸穿过所述第一介电层和所述第一半导体带，所述第二介电插塞延伸穿过所述第二介电层和所述第二半导体带；

形成第一位线和第二位线，所述第一位线延伸穿过所述第一介电层，所述第二位线延伸穿过所述第二介电层；以及

形成第一源极线和第二源极线，所述第一源极线延伸穿过所述第一介电层，所述第二源极线延伸穿过所述第二介电层，所述第一介电插塞设置在所述第一源极线与所述第一位线之间，所述第二介电插塞设置在所述第二源极线与所述第二位线之间。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一数据存储带接触每个所述第一导电部件，所述第二数据存储带接触每个所述第二导电部件。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述第一沟槽中沉积第一导电带，所述第一数据存储带设置在所述第一导电带与每个所述第一导电部件之间；以及

在所述第二沟槽中沉积第二导电带，所述第二数据存储带设置在所述第二导电带与每个所述第二导电部件之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据存储带是第一铁电带，所述第二数据存储带是第二铁电带。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一数据存储带是第一多个介电层，所述第二数据存储带是第二多个介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一沟槽是在所述多层堆叠中蚀刻的多个第一沟槽中的一个，所述多层堆叠在所述第一沟槽之间的部分具有第一纵横比，每个所述第一纵横比的范围介于5到15之间。

9.一种存储器件，包括：

第一介电层，位于衬底上方；

字线，位于所述第一介电层上方，所述字线包括第一主层和第一粘合层，所述第一粘合层沿所述第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；

第二介电层，位于所述字线上方；

第一位线，延伸穿过所述第二介电层和所述第一介电层；以及

数据存储带，设置在所述第一位线与所述字线之间，所述数据存储带沿所述字线的第二侧壁延伸。

10.一种存储器件，包括：

第一介电层，位于衬底上方；

第二介电层，位于所述第一介电层上方；

字线，位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，所述字线包括第一主层、第二主层和第一粘合层，所述第一粘合层横向设置在所述第一主层与所述第二主层之间；

第一数据存储带，接触所述第一主层、所述第一介电层和所述第二介电层的侧壁；以及

第二数据存储带，接触所述第二主层、所述第一介电层和所述第二介电层的侧壁。