[发明专利]存储器件和方法

说明书

在实施例中，一种存储器件包括：位于衬底上方的第一介电层；位于该第一介电层上方的字线，该字线包括第一主层和第一粘合层，该第一粘合层沿该第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；位于该字线上方的第二介电层；延伸穿过该第二介电层和第一介电层的第一位线；以及设置在该第一位线与字线之间的数据存储带，该数据存储带沿字线的第二侧壁延伸。本发明的实施例还涉及形成存储器件的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器件和方法。

背景技术

做为示例，半导体存储器用于包括无线电、电视、手机和个人计算设备等电子应用的集成电路中。半导体存储器包括两种主要类别。一种是易失性存储器；另一种是非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)，可以将其进一步分为两个子类别，静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。SRAM和DRAM均为易失性的，因为它们在不加电时会丢失存储的信息。

另一方面，非易失性存储器可以将数据存储在其上。一种非易失性半导体存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM或FRAM)。FeRAM的优点包括写入/读取速度快和体积小。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种形成存储器件的方法，包括：在多层堆叠中蚀刻第一沟槽，多层堆叠包括交替的介电层和牺牲层；用第一导电部件替换由第一沟槽暴露的牺牲层的第一部分；在第一沟槽中形成第一数据存储带和第一半导体带；在形成第一数据存储带和第一半导体带之后，在多层堆叠中刻蚀第二沟槽；用第二导电部件替换由第二沟槽暴露的牺牲层的第二部分；以及在第二沟槽中形成第二数据存储带和第二半导体带。

根据本发明的另一个方面，提供了一种存储器件，包括：第一介电层，位于衬底上方；字线，位于第一介电层上方，字线包括第一主层和第一粘合层，第一粘合层沿第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；第二介电层，位于字线上方；第一位线，延伸穿过第二介电层和第一介电层；以及数据存储带，设置在第一位线与字线之间，数据存储带沿字线的第二侧壁延伸。

根据本发明的又一个方面，提供了一种存储器件，包括：第一介电层，位于衬底上方；第二介电层，位于第一介电层上方；字线，位于第一介电层与第二介电层之间，字线包括第一主层、第二主层和第一粘合层，第一粘合层横向设置在第一主层与第二主层之间；第一数据存储带，接触第一主层、第一介电层和第二介电层的侧壁；以及第二数据存储带，接触第二主层、第一介电层和第二介电层的侧壁。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的随机存取存储器的框图。

图2A和图2B是根据一些实施例的存储器阵列的各种视图。

图3A至图14B是根据一些实施例的制造存储器阵列的中间阶段的各种视图。

图15A至图15B是根据一些其他实施例的存储器阵列的各种视图。

图16A和图16B是根据一些其他实施例的存储器阵列的各种视图。

图17A和图17B是根据一些其他实施例的存储器阵列的各种视图。

图18A和图18B是根据一些其他实施例的存储器阵列的各种视图。

图19A至图21B是根据一些其他实施例的制造存储器阵列的中间阶段的各种视图。

图22是根据一些实施例的半导体器件的截面图。

具体实施方式