[发明专利]基板处理方法及利用该基板处理方法制造的半导体器件

权利要求书

1.一种基板处理方法，包括如下的步骤：

将具有凹槽的基板装载到腔室内；

在所述凹槽的内壁上形成含钨的成核层；

在所述成核层上形成部分性填充所述凹槽内部的第一钨块体层；

在所述第一钨块体层上形成晶体转换层；及

在所述晶体转换层上形成晶粒尺寸相对小于所述第一钨块体层的第二钨块体层，以将所述凹槽内部全部填充。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述晶体转换层的步骤包括：

将WF₆气体及B₂H₆气体供应于所述腔室内形成所述晶体转换层的步骤。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述晶体转换层的步骤包括：

在将WF₆气体及B₂H₆气体供应于所述腔室内形成所述晶体转换层的步骤之后，将WF₆气体及SiH₄气体连续供应于所述腔室内以形成所述晶体转换层的步骤。

4.根据权利要求2或3所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述晶体转换层的步骤为，

除了源气体以外还将H₂气体供应于所述腔室内以形成所述晶体转换层的步骤。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述成核层的步骤、形成所述第一钨块体层的步骤、形成所述晶体转换层的步骤及形成所述第二钨块体层的步骤为在所述腔室内通过原位工艺形成的步骤。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述晶体转换层具有至的厚度范围。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述晶体转换层的步骤为，

在所述凹槽区域的开口部被所述第一钨块体层堵住之前形成所述晶体转换层。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述晶体转换层的步骤为，

在所述凹槽区域的开口部被所述第一钨块体层堵住1/2至2/3的区域之前形成所述晶体转换层。

9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述成核层的步骤为，

在将WF₆气体及B₂H₆气体供应于所述腔室内形成所述成核层。

10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述第一钨块体层的步骤为，

将WF₆气体及H₂气体供应于所述腔室内形成所述第一钨块体层。

11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

形成所述第二钨块体层的步骤，

将WF₆气体及H₂气体供应于所述腔室内形成所述第二钨块体层。

12.一种半导体器件，包括：

基板，具有凹槽；

成核层，含钨，并且形成在所述凹槽的内壁上；

第一钨块体层，形成在所述成核层上，以部分性填充所述凹槽内部；

晶体转换层，形成在所述第一钨块体层上；及

第二钨块体层，晶粒尺寸相对小于所述第一钨块体层，并且在所述晶体转换层上形成，以将所述凹槽内部全部填充。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

所述晶体转换层具有至的厚度范围。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

所述晶体转换层为，

形成在所述凹槽区域内部的宽度的1/2至2/3区域内。