[发明专利]半导体装置以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体装置，用以保护一内部电路，其特征在于，包括：

一晶体管，包括一栅极端、一源极端以及一漏极端，其中所述栅极端耦接至一接地端，所述源极端耦接至所述内部电路，所述漏极端耦接至一输入/输出焊垫；

一第一掺杂区，具有一第一导电型；以及

一第二掺杂区，具有一第二导电型，其中所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区相互连接，其中所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区形成所述栅极端，其中所述第一导电型以及所述第二导电型不同；

一半导体基板，具有所述第一导电型；

一第一阱，具有所述第二导电型，且形成于所述半导体基板中；

一第二阱，具有所述第二导电型，且形成于所述第一阱中；

一第三阱，具有所述第一导电型，形成于所述半导体基板中且与所述第一阱相互连接；以及

一第四阱，具有所述第一导电型，形成于所述第一阱中，且位于所述第二阱以及所述第三阱之间，其中所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区形成于所述第四阱。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一第三掺杂区，具有所述第二导电型，形成于所述第二阱中；

一第四掺杂区，具有所述第二导电型，形成于所述第一阱中且位于所述第三阱以及所述第四阱之间；以及

一第五掺杂区，具有所述第一导电型，形成于所述第三阱中。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区之间。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区以及所述第三掺杂区之间。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二掺杂区划分为多个区块，其中所述区块均匀分布位于所述第一掺杂区之中。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一掺杂区划分为多个区块，其中所述区块均匀分布位于所述第二掺杂区之中。

7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第三掺杂区形成所述漏极端，所述第四掺杂区形成所述源极端以及所述第五掺杂区形成所述晶体管的一基极端，其中所述基极端耦接至所述接地端。

8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一第一顶掺杂区，具有所述第一导电型，形成于所述第一阱中且位于所述第二阱以及所述第四阱之间；以及

一第二顶掺杂区，具有所述第一导电型，形成于所述第四阱中，其中所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区形成于所述第二顶掺杂区中。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，第三掺杂区、所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第四掺杂区以及所述第五掺杂区形成一同心圆结构。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，当所述输入/输出焊垫接收一静电放电电流时，所述第三掺杂区、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区形成一功率晶体管，用以将所述静电放电电流经所述栅极端排除至所述接地端，进而保护所述内部电路。