[发明专利]发光器/传感器单元、显示器以及用于生产显示器的方法在审
申请号: | 202110178489.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113451369A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | S·斯台德;柯统辉;D·钱斯;P·玛丽诺斯奇;P·赫勒曼斯 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G01S7/481;G01S17/02;G01S17/04;G01V8/10;G06K9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱盛赟;蔡悦 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 传感器 单元 显示器 以及 用于 生产 方法 | ||
1.一种用于显示器(1)的发光器/传感器单元(2),所述发光器/传感器单元(2)包括:
薄膜光电二极管检测器TFPD(5),所述薄膜光电二极管检测器TFPD(5)包括具有上侧(8)和下侧(7)的膜(6),所述膜(6)被配置成吸收光并将所吸收的光转换成电流;
第一薄膜发光二极管TFLED(10),所述第一薄膜发光二极管TFLED(10)包括具有上侧(18)和下侧(17)的膜(16),所述膜(16)被配置成将电流转换成光;
背板调压电路(30),所述背板调压电路(30)包括第一TFPD接触面(31)和第二TFPD接触面(32)、第一TFLED接触面(41)和晶体管,其中所述晶体管被配置成设置所述第一TFLED接触面(41)的电位并且设置这两个TFPD接触面(31、32)的电位或者测量这两个TFPD接触面(31、32)之间的电位差;
其中所述第一TFLED(10)的膜(16)的下侧(17)电连接到所述第一TFLED接触面(41),并且其中所述TFPD(5)的膜(6)的下侧(7)电连接到所述第一TFPD接触面(31)并且所述TFPD(5)的膜(6)的上侧(8)电连接到所述第二TFPD接触面(32)。
2.如权利要求1所述的发光器/传感器单元(2),其中所述第一TFLED(10)和所述TFPD(5)被布置在所述背板调压电路(30)上。
3.如权利要求1或2所述的发光器/传感器单元(2),进一步包括:
底部TFPD接触件(34),所述底部TFPD接触件(34)从所述第一TFPD接触面(31)突出并将所述第一TFPD接触面(31)与所述TFPD(5)的膜(6)的下侧(7)电连接;以及
顶部TFPD接触结构(36),所述顶部TFPD接触结构(36)包括下接触部(37)和上接触部(38),所述下接触部(37)从所述第二TFPD接触面(32)突出,且所述上接触部(38)从所述下接触部(37)横向延伸至所述TFPD(5)的膜(6)的上侧之上的位置并与所述TFPD(5)的膜(6)的上侧(8)连接,由此经由上接触部(38)和下接触部(37)来将所述TFPD(5)的膜(6)的上侧(8)电连接至所述第二TFPD接触面(32)。
4.如权利要求1所述的发光器/传感器单元(2),进一步包括:
底部TFLED接触件(44),所述底部TFLED接触件(44)将所述第一TFLED接触面(41)与所述第一TFLED(10)的膜(16)的下侧(17)电连接;以及
包括上接触部(48)的顶部TFLED接触结构(46),其中所述第一TFLED(10)的膜(16)的上侧(17)电连接至所述顶部TFLED接触结构(46)的上接触部(48)。
5.如权利要求1所述的发光器/传感器单元(2),其中所述背板调压电路(30)被配置成通过经由所述顶部TFPD接触结构和底部TFPD接触结构在所述TFPD(5)的膜(6)的上侧和下侧(7)之间施加第一电压来开启所述TFPD(5)。
6.如权利要求1所述的发光器/传感器单元(2),其中所述发光器/传感器单元(2)进一步包括:
第二TFLED(20),所述第二TFLED(20)包括具有上侧(28)和下侧(27)的膜(26),所述膜(26)被配置成将电流转换成光;
其中所述背板调压电路(30)进一步包括第二TFLED接触面(42),并且其中所述背板调压电路(30)的晶体管被进一步配置成设置所述第二TFLED接触面(42)的电位。
7.如权利要求6所述的发光器/传感器单元(2),其中所述第一TFLED(10)和第二TFLED(20)被配置成发出具有不同光谱的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的