[发明专利]发光器/传感器单元、显示器以及用于生产显示器的方法在审
申请号: | 202110178489.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113451369A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | S·斯台德;柯统辉;D·钱斯;P·玛丽诺斯奇;P·赫勒曼斯 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G01S7/481;G01S17/02;G01S17/04;G01V8/10;G06K9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱盛赟;蔡悦 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 传感器 单元 显示器 以及 用于 生产 方法 | ||
一种用于显示器的发光器/传感器单元,包括:包括具有上侧和下侧被配置成吸收光并将所吸收的光转换成电流的膜的薄膜光电二极管检测器TFPD;包括具有上侧和下侧被配置成将电流转换成光的膜的第一薄膜发光二极管TFLED;包括第一和第二TFPD接触面、第一TFLED接触面和晶体管的背板调压电路,其中晶体管被配置成设置第一TFLED接触面的电位并且设置两个TFPD接触面的电位或者测量这两个TFPD接触面之间的电位差;其中第一TFLED的膜的下侧电连接到第一TFLED接触面,并且其中TFPD的膜的下侧电连接到第一TFPD接触面并且TFPD的膜的上侧电连接到第二TFPD接触面。
技术领域
本发明涉及一种发光器/传感器单元、显示器以及用于生产显示器的方法。
背景技术
显示器可包括被布置成形成可显示图像的像素的发光二极管。通过将光电二极管纳入显示器,显示器既可呈现图像也可检测该显示器附近的对象。这可允许例如将指纹传感器集成在显示器中以使得当手指按压显示器时可检测指纹。具有集成光电二极管的显示器的示例例如由Akkerman等人在[Large-area Optical Fingerprint Sensors for NextGeneration Smartphones(用于下一代智能手机的大区域光学指纹传感器),SIDSymposium Digest of Technical Papers(SID研讨会摘要技术论文).2019;50(1):1000–1003]中描述。Akkerman描述了一种在部分透明的显示器之下的光检测器。来自该显示器的光可以从该显示器上的手指反射并且该显示器下的光检测器阵列可检测到所反射的光。由此,光可以行进穿过显示器以到达光检测器阵列。为了在光穿过显示器时抑制光散射,在该显示器与光检测器阵列之间放置光学准直仪。
发明内容
本发明的目标是启用具有集成光电二极管的显示器。本发明的另一目标是使得能够经济地生产所述显示器。本发明的另一目标是使得能够通过光电二极管来准确地检测该显示器附近的图案。本发明的这些和其他目的至少部分地由独立权利要求中限定的本发明来满足。
根据本发明的第一方面,提供了一种用于显示器的发光器/传感器单元,该发光器/传感器单元包括:
薄膜光电二极管检测器(TFPD),包括具有上侧和下侧的膜,该膜被配置成吸收光并将所吸收的光转换成电流;
第一薄膜发光二极管(TFLED),包括具有上侧和下侧的膜,该膜被配置成将电流转换成光;
背板调压电路,包括第一和第二TFPD接触面、第一TFLED接触面和晶体管,其中晶体管被配置成设置第一TFLED接触面的电位并且设置两个TFPD接触面的电位或者测量这两个TFPD接触面之间的电位差;
其中第一TFLED的膜的下侧电连接到第一TFLED接触面,并且其中TFPD的膜的下侧电连接到第一TFPD接触面并且TFPD的膜的上侧电连接到第二TFPD接触面。
用于显示器的发光器/传感器单元可以是显示器的像素的一部分。第一TFLED可发光,该光与来自其他像素的光一起形成图像。
第一TFLED发出的光还可被显示器附近的对象反射回到TFPD。TFPD因此可被配置成检测源自第一TFLED的反射光。由此,该TFPD允许对象在显示器附近被检测。
对象(诸如手指)的存在可使用一个或多个发光器/传感器单元来检测。另选地或另外地,对象的图案(诸如手指的指纹)可使用多个发光器/传感器单元来记录。来自不同像素的TFPD的输出(即,电压或电流)可用于形成显示器附近的对象的图像。在下文中,作为示例,对象一般将被描述为手指,例如按压显示器的手指。然而,应理解,对象也可以是手掌、文件或另一对象。由此,应理解,只要提到手指检测或者手指指纹记录,推理也适用于对另一对象的检测或者对另一对象图案的记录。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的