[发明专利]控制非易失性存储器参数的控制方法有效
申请号: | 202110178558.9 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112908392B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 李炯尚;李钟哲 | 申请(专利权)人: | 东芯半导体股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 邓晔;宋俊寅 |
地址: | 200000 上海市青浦区赵巷镇沪青*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 非易失性存储器 参数 方法 | ||
1.一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法,其特征在于,包括:
动态触发点限定步骤,在该动态触发点限定步骤中,设定N个动态触发点,该N个动态触发点中的每一个动态触发点对应于所述非易失性存储器的特定擦除操作次数,其中,N是大于或等于1的正整数,并且所述N个动态触发点按所对应的所述擦除操作的特定次数从小到大的顺序从1排列到N;
更新用参数存储步骤,在该更新用参数存储步骤中,针对所述N个动态触发点中的每一个动态触发点,在所述非易失性存储器的特定的存储区域中存储更新用参数;
标记单元限定步骤,在该标记单元限定步骤中,针对所述N个动态触发点中的每一个动态触发点,在所述非易失性存储器中限定一个相对应的标记单元,所述标记单元初始未编程;以及
参数更新步骤,该参数更新步骤在所述非易失性存储器每次完成擦除操作之后被执行,在该参数更新步骤中,以从第N个动态触发点开始递减到第一个动态触发点为止的顺序,逐个地针对各个动态触发点判断已经完成的擦除操作的总次数是否大于或等于该动态触发点所对应的特定擦除操作次数以及该动态触发点所对应的标记单元是否被编程,其中,当判断到出现一个动态触发点以使得已经完成的擦除操作的总次数大于或等于该一个动态触发点所对应的特定擦除操作次数、并且该一个动态触发点所对应的标记单元未被编程时,将与该一个动态触发点相对应的更新用参数用于更新所述非易失性存储器参数并且对与该一个动态触发点相对应的标记单元进行编程,并且结束所述参数更新步骤,若判断出所述N个动态触发点所对应的特定擦除操作次数都大于已经完成的擦除操作的总次数和/或所述N个动态触发点所对应的标记单元都被编程,则结束所述参数更新步骤。
2.如权利要求1所述的控制方法,其特征在于,进一步包括:
断电后通电更新步骤,该断电后通电更新步骤在所述非易失性存储器被断电接着被通电的情况下被执行,在该断电后通电更新步骤中,从第N个动态触发点开始递减到第一个动态触发点为止的顺序,逐个地针对各个动态触发点判断该动态触发点所对应的标记单元是否被编程,如果判断到出现一个标记单元被编程,则选择与该一个标记单元相对应的动态触发点所对应的更新用参数以用于对所述非易失性存储器参数进行更新,如果确定所述N个动态触发点所对应的标记单元都未被编程,则使用所述非易失性存储器的初始参数更新所述非易失性存储器参数。
3.一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法,其特征在于,包括:
动态触发点限定步骤,在该动态触发点限定步骤中,设定N个动态触发点,该N个动态触发点中的每一个动态触发点对应于所述非易失性存储器的特定擦除操作次数,其中,N是大于或等于1的正整数;
更新用参数存储步骤,在该更新用参数存储步骤中,针对所述N个动态触发点中的每一个动态触发点,在所述非易失性存储器的特定的存储区域中存储更新用参数;
标记单元限定步骤,在该标记单元限定步骤中,针对所述N个动态触发点中的每一个动态触发点,在所述非易失性存储器中限定一个相对应的标记单元,所述标记单元初始未编程;以及
参数更新步骤,该参数更新步骤在所述非易失性存储器每次完成擦除操作之后被执行,在该参数更新步骤中,针对所述N个动态触发点中的相对应的标记单元未编程的一个或多个动态触发点,判断已经完成的擦除操作的总次数是否大于或等于所述一个或多个动态触发点中的一个动态触发点所对应的特定擦除操作次数,如果已经完成的擦除操作的总次数大于或等于所述一个或多个动态触发点中的一个动态触发点所对应的特定擦除操作次数,则将与该一个动态触发点相对应的更新用参数用于更新所述非易失性存储器参数并且对与该一个动态触发点相对应的标记单元进行编程。
4.如权利要求3所述的控制方法,其特征在于,进一步包括:
断电后通电更新步骤,该断电后通电更新步骤在所述非易失性存储器被断电接着被通电的情况下被执行,在该断电后通电更新步骤中,确定所述N个动态触发点中是否存在相对应的标记单元被编程的动态触发点,如果确定所述N个动态触发点中存在相对应的标记单元被编程的动态触发点,则选择与该相对应的标记单元被编程的动态触发点中所对应的特定擦除操作次数最大的动态触发点以用于对所述非易失性存储器参数进行更新,如果确定所述N个动态触发点中不存在相对应的标记单元被编程的动态触发点,则使用非易失性存储器的初始参数更新所述非易失性存储器参数。
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