[发明专利]控制非易失性存储器参数的控制方法

说明书

本发明提供一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法，该控制方法包括：动态触发点限定步骤，在该动态触发点限定步骤中，设定动态触发点；更新用参数存储步骤，在该更新用参数存储步骤中，针对动态触发点中的每一个动态触发点,在特定的存储区域中存储更新用参数；标记单元限定步骤，在该标记单元限定步骤中，针对每个动态触发点，限定一个相对应的标记单元；以及参数更新步骤，在该参数更新步骤中，基于已经完成的擦除操作的总次数、每个动态触发点所对应的特定擦除操作次数以及相对应的标记单元的编程状态，来更新非易失性存储器的参数。

技术领域

本发明涉及一种参数的控制方法，更具体地，涉及一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法。

背景技术

半导体存储器设备一般可以被分类为易失性(volatile)存储器和非易失性(NV：Non-Volatile)存储器。易失性存储器(诸如DRAM、SRAM等)在缺乏所施加的电力的情况下会丢失存储的数据。相反，非易失性存储器(诸如EEPROM、EAROM、PROM、EPROM、闪存存储器等)能够在缺乏所施加的电力的情况下保持存储的数据。随着可携带电子产品(例如个人计算机、智能手机、数码相机、多媒体播放设备等等)的发展，对非易失性存储器的需求越来越大，对其性能的要求也越来越高。

在使用过程中，对非易失性存储器加电的过程等同于非易失性存储器的数据写入操作，该过程被称为“编程(Program)”。而非易失性存储器断电的过程(电位恢复默认电位)，这相当于非易失性存储器的擦除数据，该过程被称为“擦除(Erase)”。完整的一次编程/擦除(P/E)循环就是非易失性存储器的写入循环。因此，保持P/E循环稳定对于非易失性存储器的工作寿命、工作稳定性而言都至关重要。

在非易失性存储器存储器中，已知可以使用递增步进脉冲编程(ISPP：incremental step pulse program)过程来进行编程操作，并且使用递增步进脉冲擦除(ISPE：incremental step pulse erase)过程来进行擦除操作。图1示出了ISPP过程的流程图和示意图。如图1所示，在ISPP过程中，平缓地增加编程电压直到被编程的单元达到目标编程阈值电压。在ISPP过程中，将通过初始编程速度设定编程开始电压。图2示出了，ISPE过程的流程图和示意图。如图2所示，在ISPE过程中，平缓地增加编程电压直到擦除单元达到的目标擦除阈值电压。在ISPE过程中，将通过初始擦除速度设定擦除开始电压。

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，在以往的非易失性存储器中，在编程过程中，如果以较快的速度对非易失性存储器单元进行编程，则ISPP过程的时间减少，初始编程开始电压会对非易失性存储器单元施压。而在擦除过程中，若以较慢的速度对NV单元进行擦除，则ISPE过程的时间增加，初始擦除开始电压会对NV单元施压。由于这些影响，随着ISPP过程的次数增加，如图3所示，编程时间占P/E循环时间的比率逐渐减少，而随着ISPE过程的次数增加，擦除时间占P/E循环时间的比例逐渐增加。如此，随着所进行的ISPE或ISPP的次数变多，P/E循环时间中编程时间与擦除时间的比例改变，P/E循环变得不稳定，影响存储器的工作寿命和工作性能。

本发明鉴于上述那样的现有问题而完成，其目的在于提供一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法，可改变非易失性存储器的操作条件，以改进非易失性存储器的P/E循环性能。

解决技术问题的技术方案

在解决上述问题的本发明的一个实施例中，提供一种用于控制非易失性存储器参数的控制方法，其特征在于，包括：

动态触发点限定步骤，在该动态触发点限定步骤中，设定N个动态触发点，该N个动态触发点中的每一个动态触发点对应于所述非易失性存储器的特定擦除操作次数，其中，N是大于或等于1的正整数，并且所述N个动态触发点按所对应的所述擦除操作的所述特定次数从小到大的顺序从1排列到N；