[发明专利]一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法，包括由交错、叠层装配的云母银片经烧结形成的电容器芯组，其端头为完全独石结构；所述云母银片是在每片云母片两面均设大银电极层和小银电极层，其中大银电极层端头处的高度和小银电极层的高度均与云母片宽度相等，大银电极层与小银电极层之间留有阻挡层，大银电极层在云母片的两侧边均留有宽度相等的绝缘边；所述电容器芯组的两个端头均涂覆有端头银浆。本发明将端头处的银层高度延长至与云母片宽度一致，相邻云母银片的端头部分被银层完全地填充或涂覆，使得其端头在烧结后呈完全独石结构，填补了现有云母电容器端电极引出部分完全独石结构、立体化的国内空白。

技术领域

本发明属于阻容元器件制造的技术领域，涉及一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法。

背景技术

云母是一种含硅酸铝的矿物质，主要成分是Al₂O₃和SiO₂，化学组成为KAl₂(ALSi₃)O₁₀(OH)₂。云母是一种极为重要的优良的无机绝缘材料，作为介质材料，迄今尚未发现其它材料的综合性能可以超过云母。云母的优点是介电强度高，介电常数大，损耗小，化学稳定性高，热膨胀系数小，耐热性好，并且易于剥离成厚度均匀的薄片。

鉴于云母具有优良的机械性能，很容易装配成叠片式的电容器。云母电容器是以天然云母片为介质的电容器，正是由于云母介质的优异性能，使得云母电容器具有以下优点，是其它电容器不能代替的。

1)损耗小：容量小于或等于82pF时，损耗在(10～30)×10^-4范围内，容量大于82pF时，损耗都在10×10^-4以下，最小可达3×10^-4以下，即使在很高温度下，损耗仍在允许范围内；

2)容量的温度和时间稳定性好：温度系数最好的可稳定在±10×10^-6/℃范围内，在规定的贮存条件下，贮存14年后，其容量变化不超过±1％；

3)高频特性优良：因其固有电感小，云母电容器可以在较高的频率下工作。

4)精度高：一般可达到±1％、±2％、±5％，最高精度可达到±0.01％。

5)耐热性好：在外封装材料允许的条件下，可以生产200℃以上的高温云母电容器，玻璃封装的可以达到300℃以上；

云母电容器不仅广泛用于电子、电力和通讯设备的仪器仪表中，而且还用于对稳定性和可靠性要求很高的航天、航空、航海、火箭、卫星、军用电子装备以及石油勘探设备中。

云母电容器最重要的特点就是损耗小、电阻值大于1×10¹⁰Ω、容量精度高和耐电压的可靠性好。但是，当前云母电容器在原来的实际生产过程中，产生电参数不合格品较多的工序主要集中在：芯组耐电压测试中的电压击穿废品，容量测试时的容量超差不合格品，成品测试中的损耗过大废品，成品筛选过程中产生的淘汰率较高。经DPA结构分析，这些废品的形成和产生，都与芯组的引出可靠度有着直接的关系。

发明内容

本发明解决的问题在于提供一种端头呈完全独石结构的云母电容器及其制备方法，填补了现有云母电容器端电极引出部分完全独石结构、立体化的国内空白，保证了云母电容器芯组引出的可靠度。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种端头呈完全独石结构的云母电容器，包括由交错、叠层装配的云母银片经烧结形成的电容器芯组，其端头为完全独石结构；所述云母银片是在每片云母片两面均设大银电极层和小银电极层，其中大银电极层端头处的高度和小银电极层的高度均与云母片宽度相等，大银电极层与小银电极层之间留有阻挡层，大银电极层在云母片的两侧边均留有宽度相等的绝缘边；