[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底；

一垫结构，位在该基底上；以及

一上凹槽，位在该垫结构的一顶表面上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该垫结构包括一下垫以及一上垫，该下垫位在该基底上，该上垫位在该下垫上，而该上凹槽则位在该上垫的一顶表面上。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一下凹槽，位在该下垫的一顶表面上，其中该上垫位在该下凹槽与该下垫上。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括二间隙子，贴合到该垫结构的两侧。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该上凹槽邻近该上垫的该顶表面的一边缘设置。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该垫结构包括一下垫、一中垫以及一上垫，该下垫位在该基底上，该中垫位在该下垫上，该上垫位在该中垫上，而该上凹槽则位在该上垫的一顶表面上。

7.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一下凹槽以及一中凹槽，该下凹槽位在该下垫的一顶表面上，该中凹槽位在该中垫的一顶表面上，其中该中垫位在该下凹槽与该下垫上，而该上垫则位在该中凹槽与该中垫上。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该上凹槽的一深度对该垫结构的一厚度的一比率，介于1：10到1：20之间。

9.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一重分布层，位在该基底上，其中该垫结构位在该重分布层上。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中，该垫结构包括一下垫以及一上垫，该下垫位在该重分布层上，该上垫位在该下垫上，而该上凹槽则位在该上垫的一顶表面上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，还包括一基础凹槽以及一下凹槽，该基础凹槽位在该重分布层的一顶表面上，该下凹槽位在该下垫的一顶表面上并直接位在该基础凹槽上方，其中该下垫位在该基础凹槽与该重分布层上，该上垫位在该下凹槽与该下垫上，而该上凹槽则直接位在该下凹槽上方。

12.如权利要求9所述的半导体元件，其中该上凹槽的一深度对该垫结构的一厚度的一比率，介于1：10到1：20之间。

13.如权利要求9所述的半导体元件，还包括一应力释放结构，直接位在该垫结构下方。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其中，该应力释放结构包括一导电架以及多个隔离区段，该导电架直接位在该垫结构下方，该多个隔离区段位在该导电架内。

15.如权利要求13所述的半导体元件，还包括一应力缓冲层，位在该应力释放结构与该垫结构之间，其中该应力缓冲层由一材料所制，该材料具有一热膨胀系数以及一杨氏模量，该热膨胀系数小于约20ppm/℃，而该杨氏模量小于约15GPa。

16.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基底；

形成一垫结构在该基底上；以及

形成一上凹槽在该垫结构的一顶表面上。

17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，其中，形成该垫结构在该基底上的步骤包括：

形成一下垫在该基底上；以及

形成一上垫在该下垫上；

其中该上凹槽形成在该上垫的一顶表面上。

18.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，还包括：

形成多个钝化层在该基底上；以及

形成一垫开口以穿经该多个钝化层；

其中该垫结构形成在该垫开口中。