[发明专利]一种1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制备方法在审
申请号: | 202110179614.0 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN112939725A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 姚刚;郗少杰;郭君;张浩;徐海云;王巍;倪珊珊;郑艺;杨少飞 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
主分类号: | C07C17/10 | 分类号: | C07C17/10;C07C19/10 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;杨志兵 |
地址: | 056027*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 四氯六氟 丁烷 制备 方法 | ||
本发明涉及一种1,2,3,4‑四氯六氟丁烷的制备方法,属于电子材料和化工技术领域。所述方法如下:将1,2,3,4‑四氯丁烷预热至80℃~300℃,用保护气体将1,2,3,4‑四氯丁烷吹入管式反应器中与三氟化钴在温度为200℃~500℃,压力为0.01MPa~1MPa的条件下进行氟化反应,待反应器中的气体产物出现未完全氟化产物时,则反应结束,得到氟化后的产物;将氟化反应得到的产物经过冷凝器液化后,气相部分进入碱液a吸收;液相部分经碱液b中和,再经分液,取油相,将油相产物干燥后得到1,2,3,4‑四氯六氟丁烷。所述方法反应条件温和、放热量小,并且反应温度可控,提高了反应安全性和收率。
技术领域
本发明涉及一种1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制备方法,属于电子材料和化工技术领域。
背景技术
有机碳氟类电子气体主要用于干法蚀刻工艺生产集成电路的过程中。近年来开发的六氟丁二烯是一种环境友好、刻蚀选择性更好的新型电子气体产品,是3D NAND工艺的最佳选择。
为了提供高纯度的六氟丁二烯电子气体产品,研究人员开发了多种生产工艺方法。其中主流方法有以下三种:(1)三氟氯乙烯工艺路线;(2)1,2-二溴四氟乙烷工艺路线;(3)1,3-丁二烯工艺路线。其中,方法(1)和(3)都是以构筑1,2,3,4-四氯六氟丁烷为原料进行生产的。方法(1)中制备1,2,3,4-四氯六氟丁烷的原料,其价格较高,提高了生产成本。方法(3)是大野博昭等人开发了以廉价的1,3-丁二烯为原料制备1,2,3,4-四氯丁烷,通过1,3-丁二烯和氯气的氯化反应制备1,2,3,4-四氯丁烷、以及1,2,3,4-四氯丁烷和氟气的氟化反应制备1,2,3,4-四氯六氟丁烷的方法,极大的降低了生产成本;但该方法仍具有缺陷:(a)氟化反应采用剧毒的氟气作为原料,不仅危险,还对设备的要求极高;(b)氟气具有极强的反应活性,能与有机物剧烈反应,急剧放热,造成爆炸。因此需要对反应物和氟气的浓度进行控制。(c)由于氟气反应活性高,会造成反应原料碳链断裂,降低反应收率。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制备方法,所述方法以1,2,3,4-四氯丁烷为原料,采用三氟化钴将其氟化为1,2,3,4-四氯六氟丁烷;所述方法反应条件温和、放热量小,并且反应温度可控,提高了反应安全性和收率,从而使本发明所述方法具有良好的工业化潜力。
为实现本发明的目的,提供以下技术方案。
一种1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制备方法,所述方法步骤如下:
将1,2,3,4-四氯丁烷预热至80℃~300℃,用保护气体将1,2,3,4-四氯丁烷吹入管式反应器中与三氟化钴在温度为200℃~500℃,压力为0.01MPa~1MPa的条件下进行氟化反应,待反应器中的气体产物出现未完全氟化产物时,则反应结束,得到氟化后的产物,此时三氟化钴转变为二氟化钴;
将氟化反应得到的产物经过冷凝器液化后,气相部分进入碱液a吸收;液相部分经碱液b中和,再经分液,取油相,将油相产物干燥后得到1,2,3,4-四氯六氟丁烷。
其中,所述保护气体为氮气、氩气、氦气、氖气、氪气和氙气中的一种以上。
冷凝器的冷凝温度为20℃~130℃。
优选,所述保护气体为氮气。
优选,所述保护气体的流速为100mL/min~200mL/min。
优选,将1,2,3,4-四氯丁烷预热至200℃。
优选,氟化反应的反应温度为250℃,压力为0.05MPa。
优选,冷凝器的冷凝温度为100℃~120℃。
优选,所述碱液a为质量分数为10%~30%的氢氧化钾溶液或氢氧化钠溶液。
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