[发明专利]封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202110180082.2 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113013041A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 章军 | 申请(专利权)人: | 池州昀冢电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/10 |
代理公司: | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种封装结构的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;
在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括下层坝体和上层坝体,所述下层坝体设置在所述基板的第一表面,所述下层坝体为塑胶材质,所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面,所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构;
提供一金属件,所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。
2.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,将所述下层坝体设置在所述基板的第一表面的方法包括以下任意一种:
将所述下层坝体粘附在所述基板的第一表面;
将所述金属件作为制作所述下层坝体的模具的一部分,采用注塑方式在所述基板的第一表面制作所述下层坝体;
将所述金属件埋入制作所述下层坝体的模具,采用注塑方式制作得到连接为一体的所述金属件和所述下层坝体,并将连接为一体的所述金属件和所述下层坝体设置在所述基板的第一表面。
3.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述上层坝体为金属材质。
4.根据权利要求3所述封装结构的制备方法,其特征在于,将所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面的方法包括以下任意一种:
将所述上层坝体粘附在所述下层坝体的顶面;
采用真空镀膜方式在所述下层坝体的顶面制作所述上层坝体;
先采用真空镀膜方式,后采用电镀方式在所述下层坝体的顶面制作所述上层坝体。
5.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述上层坝体为塑胶材质。
6.根据权利要求5所述封装结构的制备方法,其特征在于,将所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面的方法包括以下任意一种:
将所述上层坝体粘附在所述下层坝体的顶面;
将所述下层坝体作为制作所述上层坝体的模具的一部分,采用注塑方式在所述下层坝体的顶面制作所述上层坝体;
将所述下层坝体埋入制作所述上层坝体的模具,采用注塑方式制作得到连接为一体的所述下层坝体和所述上层坝体。
7.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,将所述金属件设置在所述围坝的下层坝体上的方法包括以下任意一种:
将所述金属件粘附在所述下层坝体上;
采用真空镀膜方式在所述下层坝体上制作所述金属件;
先采用真空镀膜方式,后采用电镀方式在所述下层坝体上制作所述金属件。
8.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述金属件包括第一金属件和/或第二金属件;
将所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面的方法包括:
将所述第一金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面,和/或,将所述第二金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分内侧面。
9.根据权利要求8所述封装结构的制备方法,其特征在于,将所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面的方法还包括:
将所述第一金属件的一部分设置在所述下层坝体的顶面和所述上层坝体之间。
10.根据权利要求9所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述第一金属件覆盖所述下层坝体的全部顶面。
11.根据权利要求1所述封装结构的制备方法,其特征在于,所述基板为陶瓷基板。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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