[发明专利]封装结构及其制备方法在审
申请号: | 202110180082.2 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113013041A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 章军 | 申请(专利权)人: | 池州昀冢电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52;H01L23/06;H01L23/08;H01L23/04;H01L23/055;H01L23/10 |
代理公司: | 苏州领跃知识产权代理有限公司 32370 | 代理人: | 王宁 |
地址: | 247000 安徽省池州市皖江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
本申请提供了一种封装结构及其制备方法,该制备方法包括:提供一基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括下层坝体和上层坝体,所述下层坝体设置在所述基板的第一表面,所述下层坝体为塑胶材质,所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面,所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构;提供一金属件,所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。制造成本低;对环境的污染小;采用模块化设计的理念,将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分,使围坝的制备过程更加灵活;可以提供无机封装条件和/或耐受UV照射功能;增强结构强度和稳定性。
技术领域
本申请涉及线路封装技术领域,尤其涉及封装结构及其制备方法。
背景技术
传感器、晶体振荡器、谐振器、激光器、摄像装置、LED光源等器件一般采用陶瓷基板封装方式,常用的封装结构是在带有线路层的陶瓷基板上设置围坝,围坝上设置盖板,盖板、围坝与陶瓷基板围设成密封腔室,该密封腔室内用于放置各类芯片等器件,通过向密封腔室内填充封装胶水、惰性气体或直接抽真空,实现器件的气密封装。
目前围坝大概分为三种,1、陶瓷围坝,2、金属围坝,3、塑胶围坝。其中,陶瓷围坝一般采用LTCC(Low Temperature co-fired ceramics,低温共烧陶瓷)技术烧结形成,使得陶瓷围坝线路解析度不高,通过高温烧结形成的方式成本高。金属围坝制作的方式一般分为三种,第一种方式是金属围坝由单一金属或合金冲压成型,再将金属围坝粘结在陶瓷基板上,该方式中,金属围坝与陶瓷基板之间是有机连接,气密性不佳;第二种方式是将金属围坝通过金属可伐环焊接在陶瓷基板上,该方式要求焊接工艺高,导致产品良率低、成本高;第三种方式是在陶瓷基板上采用电镀方式制作围坝,该方式的围坝宽度尺寸受限,工艺较复杂。塑胶围坝(包括环氧树脂在内)耐UV(紫外)照射差,无法进行盖板焊接。
因此,研究开发一种可靠性高、性价比好的封装技术对于半导体封装有着十分重要的意义。
发明内容
本申请的目的在于提供一种封装结构及其制备方法,采用模块化设计的理念,使围坝的制备过程更加灵活,且可靠性高、性价比好。
本申请的目的采用以下技术方案实现:
第一方面,本申请提供了一种封装结构的制备方法,包括:提供一基板,所述基板具有相对的第一表面和第二表面;在所述基板的第一表面设置围坝,所述围坝包括下层坝体和上层坝体,所述下层坝体设置在所述基板的第一表面,所述下层坝体为塑胶材质,所述下层坝体具有顶面、相对的内侧面和外侧面,所述上层坝体设置在所述下层坝体的顶面并形成阶梯结构;提供一金属件,所述金属件设置在所述下层坝体上并覆盖所述下层坝体的至少部分顶面和/或至少部分内侧面。该技术方案的有益效果在于,相比陶瓷围坝,塑胶材质的下层坝体在制备时可以避免高温烧结步骤,制造成本低;相比金属围坝,塑胶材料成本较低,制造方法简单,制造成本低,而且对环境的污染小,较为环保;相比塑胶围坝,采用模块化设计的理念,将围坝分为下层坝体和上层坝体两部分,用户可以根据实际应用中的需求,各自独立地采用相同或者不同的工艺制作多种尺寸的上层坝体和下层坝体,通过两层坝体之间的粘附或者先后制作两层坝体等方式形成整个围坝,由此,使围坝的制备过程更加灵活,适用范围广;通过金属件覆盖围坝的至少部分顶面,可以提供无机封装条件;通过金属件覆盖围坝的至少部分内侧面,提高紫外线照射的耐受程度,金属件耐受紫外线照射,反射率高,能够避免紫外线直接照射围坝从而破坏围坝的结构,保障围坝的整体性能稳定可靠;另外,金属件还可以增强塑胶围坝的结构强度,提高整个封装结构的稳定性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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