[发明专利]光器件和测试光器件的方法有效
| 申请号： | 202110181476.X | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113325513B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杉山昌树 | 申请（专利权）人： | 富士通光器件株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/124;G01R31/311;G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 测试 方法 | ||
1.一种光器件，该光器件通过切割而从晶圆切割成芯片，该光器件包括：
多个光波导，所述多个光波导将被输入本地光；
平台，所述平台设置在所述光波导之间并且在所述平台上将安装光芯片组件；
光电路，所述光电路连接所述光波导的下游；以及
测试光波导，所述测试光波导绕过所述平台并且将测试本地光引导至待测试的光电路。
2.根据权利要求1所述的光器件，其中，
将所述测试本地光输入到所述测试光波导的光栅耦合器被设置在所述晶圆上。
3.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述测试光波导经由光耦合器光连接到所述光电路。
4.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述晶圆使用硅材料形成，并且
所述光芯片组件是化合物半导体。
5.根据权利要求4所述的光器件，其中，
所述光芯片组件是对所述本地光进行光放大的半导体光放大器。
6.根据权利要求3所述的光器件，其中，
所述光耦合器是定向光耦合器。
7.根据权利要求3所述的光器件，其中，
所述光耦合器是MMI耦合器。
8.根据权利要求2所述的光器件，其中，
所述晶圆包括通过切割从所述晶圆切割成芯片的多个光器件，并且
所述光栅耦合器设置在所述晶圆的位于所述光器件外部的区域中。
9.根据权利要求2所述的光器件，其中，
所述晶圆包括通过切割从所述晶圆切割成芯片的多个光器件，并且
在所述光器件当中，所述光栅耦合器设置在与所述光器件相邻的相邻光器件的自由区域中。
10.根据权利要求2所述的光器件，其中，
所述晶圆包括通过切割从所述晶圆切割成芯片的多个光器件，并且
在所述光器件当中，所述光栅耦合器设置在所述光栅耦合器经由所述测试光波导向其输入所述测试本地光的所述光器件的自由区域中。
11.根据权利要求1所述的光器件，其中，
待测试并且接收所述测试本地光的所述光电路是90°光混合器。
12.根据权利要求1所述的光器件，其中，
所述光器件设置在从传输路径接收光信号的光接收单元中，或者设置在向所述传输路径发送光信号的光发送单元中。
13.一种测试光器件的方法，该光器件通过切割而从晶圆切割成芯片，该方法包括以下步骤：
设置：
多个光波导，所述多个光波导将被输入本地光；
平台，所述平台设置在所述光波导之间并且在所述平台上将安装光芯片组件；
光电路，所述光电路连接所述光波导的下游；
测试光波导，所述测试光波导绕过所述平台并将测试本地光引导至待测试的光电路；以及
光栅耦合器，所述光栅耦合器将所述测试本地光输入到所述测试光波导；以及
通过经由所述光栅耦合器向所述测试光波导提供所述测试本地光来测试所述光电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通光器件株式会社，未经富士通光器件株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110181476.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
